マイクロストリップギャップ中の不均質光励振プラズマのマイクロ波特性

GAMLATH Chris D.; BENTON David M.; CRYAN Martin J.

文献

J-GLOBAL ID：201502282110464716 整理番号：15A0387447

マイクロストリップギャップ中の不均質光励振プラズマのマイクロ波特性

Microwave Properties of an Inhomogeneous Optically Illuminated Plasma in a Microstrip Gap

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巻： 63 号： 2,Pt.1 ページ： 374-383 発行年： 2015年02月
JST資料番号： C0229A ISSN： 0018-9480 CODEN： IETMAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

シリコンの光励振プラズマはミリ波パルス発生やミリ波チューナブル移相器などに有用であるが,これらのデバイスの設計では光励振プラズマの正確なシミュレーションが必要である。多くの検討は数10μメートルの短いプラズマ領域であり,電子孔プラズマの影響は局所的であることからランプ素子モデリングが使われている。本論はより長いプラズマ長に拡張した。この場合ランプ素子モデリングが適用できなくなり,プラズマ中の伝搬を考慮しなければならない。このような伝搬効果は導波管構造に対して検討されたが,ここではマイクロストリップ回路に対して検討した。50GHzまでのマイクロストリップギャップの励振の測定とモデル化を行った。シリコン基板上にギャップ端両端に接続したマイクロストリップを試作した。多層プラズマモデルを使いこの構造の高い損失の原因を説明した。また測定から直接得られないキャリア密度や分散長のプラズマパラメータの推定を行った。プラズマの長い構造の検討がプラズマ領域を空間的に変化させることによる新しいチューニング法の期待に役立つと考えられる。

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マイクロ波・ミリ波通信 , 光通信方式・機器

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