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J-GLOBAL ID：201502282378060324   整理番号：15A0746779

ゲルマニウム添加によるシリコン薄膜における非晶質構造の安定化

Stabilization of amorphous structure in silicon thin film by adding germanium

著者 (2件)： MAKINO Nobuaki (Nanosystem Sci., Yokohama City Univ., 22-2 Seto, Kanazawa-ku, Yokohama 236-0027, JPN) ,  SHIGETA Yukichi (Nanosystem Sci., Yokohama City Univ., 22-2 Seto, Kanazawa-ku, Yokohama 236-0027, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 117  号： 23  ページ： 235302-235302-6  発行年： 2015年06月21日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 半導体薄膜 ,  *ケイ素 ,  基板 ,  ガラス ,  *電子ビーム蒸着 ,  構造 ,  *非晶質 ,  *安定化 ,  *添加物効果 ,  *ゲルマニウム ,  窒素 ,  雰囲気 ,  熱処理 ,  Raman分光分析
準シソーラス用語： ガラス基板 ,  *シリコン薄膜 ,  窒素雰囲気 ,  *非晶質構造

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： ゲルマニウム ,  シリコン薄膜 ,  非晶質構造 ,  安定化