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J-GLOBAL ID:201502282492211642   整理番号:15A0287124

Zn2SnO4改質を介したg-C3N4の可視光光活性の増強

Enhanced visible-light photoactivity of g-C3N4 via Zn2SnO4 modification
著者 (9件):
資料名:
巻: 329  ページ: 143-149  発行年: 2015年02月28日 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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この研究の目的は可視光照射の下でのRhB分解におけるZn2SnO4/g-C3N4複合材料を合成し,特性記述し,その光触媒活性を評価することである。複合材料はZn2SnO4-メラミン混合物の簡単な焼成によって合成され,Brunauer-Emmett-Teller法(BET),X線回折(XRD),走査型電子顕微鏡(SEM),透過型電子顕微鏡(TEM),X線光電子分光(XPS),UV-vis拡散反射分光(DRS),光ルミネセンス分光(PL)によって特性評価された。特性評価の結果はg-C3N4上へのZn2SnO4デコレーションは光吸収性能には影響を及ぼさないが,複合材料の表面積を増大し,それは色素の吸着とそれに続く光触媒プロセスに有利に働くことを示した。しかしながら,更に重要なことはZn2SnO4とg-C3N4の間のヘテロ接合構造の形成で,それは電子-正孔対の分離を効率的に促進し,Zn2SnO4/g-C3N4の光触媒性能を増強することである。最適Zn2SnO4/g-C3N4光触媒は0.038min-1の分解速度を示し,それはg-C3N4のそれより3.2倍高かった。加えて,このZn2SnO4/g-C3N4複合材料は高い安定性を示す。*O2-とh*が主要反応種である。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (3件):
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光化学一般  ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  ,  下水,廃水の化学的処理 
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