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J-GLOBAL ID：201502282598987780   整理番号：15A0441124

多層ナノ周期的Al₂O₃/SiO_x/Al₂O₃/SiO_x/.../Si(100)構造におけるSiナノ結晶の形成

Formation of Si nanocrystals in multilayered nanoperiodic Al₂O₃/SiO_x/Al₂O₃/SiO_x/.../Si(100) structures: Synchrotron and photoluminescence data

著者 (11件)： TURISHCHEV S. Yu. (Voronezh State Univ., 394006, Voronezh, RUS) ,  TEREKHOV V. A. (Voronezh State Univ., 394006, Voronezh, RUS) ,  KOYUDA D. A. (Voronezh State Univ., 394006, Voronezh, RUS) ,  SPIRIN D. E. (Voronezh State Univ., 394006, Voronezh, RUS) ,  PARINOVA E. V. (Voronezh State Univ., 394006, Voronezh, RUS) ,  NESTEROV D. N. (Voronezh State Univ., 394006, Voronezh, RUS) ,  GRACHEV D. A. (Lobachevsky State Univ. of Nizhni Novgorod, 603950, Nizhny Novgorod, RUS) ,  KARABANOVA I. A. (Lobachevsky State Univ. of Nizhni Novgorod, 603950, Nizhny Novgorod, RUS) ,  ERSHOV A. V. (Lobachevsky State Univ. of Nizhni Novgorod, 603950, Nizhny Novgorod, RUS) ,  MASHIN A. I. (Lobachevsky State Univ. of Nizhni Novgorod, 603950, Nizhny Novgorod, RUS) ,  DOMASHEVSKAYA E. P. (Voronezh State Univ., 394006, Voronezh, RUS)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 49  号： 3  ページ： 409-413  発行年： 2015年03月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 周期が9~16nmの多層Al₂O₃/SiO_x/Al₂O₃/SiO_x/.../Si(100)構造を500~1100°Cでアニールし,シンクロトロン放射を用いたX線吸収端近傍分光により評価した。分光データから高温(~1100°C)でアニールすると構造が変化することが分かった。この構造変化は深い層の中にSiナノ結晶が形成されることに起因する。同時に,この構造はサイズ(Al₂O₃/SiO_x層厚比)に依存した強い光ルミネセンス(光子エネルギー1.4~1.52eV)を示した。Copyright 2015 Pleiades Publishing, Ltd. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化アルミニウム ,  *酸化ケイ素 ,  *多層膜 ,  人工超格子 ,  ウエハ【IC】 ,  焼なまし ,  温度依存性 ,  XANES ,  *ケイ素 ,  ナノ結晶 ,  *光ルミネセンス ,  赤外発光スペクトル
準シソーラス用語： シリコン基板

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (4件)： 多層 ,  Al2O3 ,  Si ,  ナノ結晶