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J-GLOBAL ID：201502283826561735   整理番号：15A0392993

α-NiSのポリオール合成とその物理化学的性質

Polyol synthesis of α-NiS particles and its physico-chemical properties

著者 (4件)： SURENDRAN S. (Solid State Ionics and Energy Devices Lab., Dep. of Physics, Bharathiar Univ., Coimbatore 641046, IND) ,  VIJAYA Sankar K. (Solid State Ionics and Energy Devices Lab., Dep. of Physics, Bharathiar Univ., Coimbatore 641046, IND) ,  JOHN Berchmans L. (Electropyrometallurgy Div., Central Electrochemical Res. Inst., Karaikudi 630003, IND) ,  KALAI Selvan R. (Solid State Ionics and Energy Devices Lab., Dep. of Physics, Bharathiar Univ., Coimbatore 641046, IND)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 33  ページ： 16-23  発行年： 2015年05月 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 簡単で低コストのポリオール法を使い,α-NiS粒子を異なる条件(pH7~pH14)で合成した。α-NiSの単相形成と可能な官能基をそれぞれX線回折(XRD),Fourier変換赤外分光(FTIR)で同定した。さらに,X線光電子分光(XPS)でα-NiS粒子の相純度が明らかになった。走査電子顕微鏡(SEM)画像ではサイズが200~400nmの擬球形粒子の存在が明らかになった。その結果,グレインサイズは試料の光学的電気的性質を大きく変化させる。同じ様に,pH8で作ったα-NiSはpH7で作ったα-NiSよりも大きな誘電率(2.3×10⁴)と低い誘電損(13×10³を持つ。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： ナノ構造 ,  カルコゲン化物 ,  遷移金属 ,  ポリオール ,  *化学合成 ,  X線回折 ,  誘電性 ,  *電気的性質 ,  *硫化ニッケル ,  基 ,  FTIR分光法 ,  X線光電子分光法 ,  画像 ,  誘電率 ,  誘電損失
準シソーラス用語： FTIR【分光法】 ,  SEM画像 ,  XPS ,  XRD ,  カルコゲニド ,  *ポリオール法 ,  官能基 ,  誘電損 ,  誘電特性

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (1件)： 物理化学的性質