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J-GLOBAL ID：201502283885421971   整理番号：15A0551327

スイッチMOSFET回路における低周波雑音の解析:再考及び解明

Analysis of Low-Frequency Noise in Switched MOSFET Circuits: Revisited and Clarified

著者 (2件)： MAHMUTOGLU Ahmet Gokcen (Koc Univ., Istanbul, TUR) ,  DEMIR Alper (Koc Univ., Istanbul, TUR)
資料名： IEEE Transactions on Circuits and Systems 1: Regular Papers  (IEEE Transactions on Circuits and Systems 1: Regular Papers)
巻： 62  号： 4  ページ： 929-937  発行年： 2015年04月 
JST資料番号： C0226B  ISSN： 1549-8328  CODEN： ITCSCH  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 矩形波励起によりソース接地構成における一MOSFETにおけるゲート酸化膜中の単一トラップにより生成される雑音を研究した。はじめに,トラップ状態の平均自己共分散関数における今までの計算になされた決定的な過ちを正し,雑音パワースペクトル密度に補正式を用いることにより,それを改善しながら,1/f雑音の付随分析を再構成した。これにより,スイッチバイアスにより達成できる雑音低減の性質,量,及び程度に関する簡単な分析結果を導いた。これらの結果により,スイッチ回路における雑音の非定常挙動の直観的理解が可能になり,より進んだ分析のベースラインとして役立つであろう。

シソーラス用語： *スイッチ回路 ,  *MOSFET ,  *低周波雑音 ,  *雑音解析 ,  周波数領域 ,  パワースペクトル密度 ,  モンテカルロ法 ,  シミュレーション ,  1/f雑音 ,  数学モデル ,  キャリア捕獲 ,  電子密度 ,  雑音低減
準シソーラス用語： 非定常雑音

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  雑音一般  (ND04010J)

タイトルに関連する用語 (3件)： MOSFET回路 ,  低周波雑音 ,  解析