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J-GLOBAL ID:201502284081937270   整理番号:15A0445009

銀ナノワイヤネットワーク埋込み接触を用いた8.68%効率の化学的にドープした自立グラフェン-シリコン太陽電池

An 8.68% Efficiency Chemically-Doped-Free Graphene-Silicon Solar Cell Using Silver Nanowires Network Buried Contacts
著者 (6件):
資料名:
巻:号:ページ: 4135-4141  発行年: 2015年02月25日 
JST資料番号: W2329A  ISSN: 1944-8244  CODEN: AAMICK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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グラフェンとシリコンとの組合せによる光電素子に関する開発研究の一環として,本研究では,銀ナノワイヤネットワーク埋込み接触を用いた8.68%効率の化学的ドープ自立グラフェン-シリコン太陽電池を提示した。化学蒸着によるグラフェン薄膜における高いシート抵抗の問題の解決に対して,著者らは,単分子グラフェン薄膜と銀ナノワイヤネットワークとの,酸化グラフェンフレークを用いたハンダ付けによるハイブリッド化により,新しい透明導電膜を製造した。このハイブリッド薄膜は,低いシート抵抗と,比較的大きい直流電気伝導率/光伝導率比を示し,太陽電池製造に適した特性を有することが分かった。この太陽電池のエネルギー変換効率は8.68%であった。
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分類 (1件):
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太陽電池 

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