文献

J-GLOBAL ID：201502284562539821   整理番号：15A0560619

GaAs(100)表面上の自然酸化層の深さプロフィル分析

Depth profile analysis of native oxide layer on GaAs (100) surface

著者 (14件)： CHENG Xing (Sci. and Technol. on Low-Light-Level Night Vision Lab., Xi’an, CHN) ,  CHENG Xing (North Night-Vision Sci. & Technol. Group Co., Ltd., Kunming, CHN) ,  SHI Feng (Sci. and Technol. on Low-Light-Level Night Vision Lab., Xi’an, CHN) ,  SHI Feng (North Night-Vision Sci. & Technol. Group Co., Ltd., Kunming, CHN) ,  CHENG Hongchang (Sci. and Technol. on Low-Light-Level Night Vision Lab., Xi’an, CHN) ,  CHENG Hongchang (North Night-Vision Sci. & Technol. Group Co., Ltd., Kunming, CHN) ,  NIU Sen (Sci. and Technol. on Low-Light-Level Night Vision Lab., Xi’an, CHN) ,  NIU Sen (North Night-Vision Sci. & Technol. Group Co., Ltd., Kunming, CHN) ,  WANG Long (Sci. and Technol. on Low-Light-Level Night Vision Lab., Xi’an, CHN) ,  WANG Long (North Night-Vision Sci. & Technol. Group Co., Ltd., Kunming, CHN) ,  MIAO Zhuang (Sci. and Technol. on Low-Light-Level Night Vision Lab., Xi’an, CHN) ,  MIAO Zhuang (North Night-Vision Sci. & Technol. Group Co., Ltd., Kunming, CHN) ,  CHEN Chang (Sci. and Technol. on Low-Light-Level Night Vision Lab., Xi’an, CHN) ,  CHEN Chang (North Night-Vision Sci. & Technol. Group Co., Ltd., Kunming, CHN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 9295  ページ： 929503.1-929503.5  発行年： 2014年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs(100)表面は表面エネルギーが高く,従って反応性が高く,化学的に不安定で,GaAs(100)表面の化学分析は困難である。本研究では,GaAs(100)表面の自然酸化層の深さプロフィルを,1keVのAr⁺イオンによるエッチングとX線光電子分光法を用いて分析した。表面の最も外側の酸化相はGa₂O₃,As₂O₃,As₂O₅からなり,中間層はGaの酸化物のみを含んだ。全ての酸化層でAsの濃縮を認めたが,Ga酸化物の含有量は最も外側の酸化層を除いてAs酸化物量よりも多かった。

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  *酸化膜 ,  *深さプロフィル ,  酸化ガリウム ,  酸化ヒ素 ,  X線光電子スペクトル ,  表面分析 ,  酸化
準シソーラス用語： *自然酸化膜

分類 (1件)： 一般及び無機化合物の電子分光スペクトル(分子)  (BH06091Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaAs ,  酸化層 ,  深さプロフィル ,  分析