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J-GLOBAL ID：201502284623642175   整理番号：15A0653014

SnSe-NbSe₂サブユニットを含む薄膜無機構造異性体の性質に対する界面の影響

The Influence of Interfaces on Properties of Thin-Film Inorganic Structural Isomers Containing SnSe-NbSe₂ Subunits

著者 (4件)： ALEMAYEHU Matti B. (Univ. Oregon, Oregon, USA) ,  FALMBIGL Matthias (Univ. Oregon, Oregon, USA) ,  TA Kim (Univ. Oregon, Oregon, USA) ,  JOHNSON David C. (Univ. Oregon, Oregon, USA)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 9  号： 4  ページ： 4427-4434  発行年： 2015年04月 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SnSe(A)及びNbSe₂(B)サブユニットを含む6種類の無機異性体,(A)₄(B)₄(4:4),(A)₃(B)₃(A)₁(B)₁(3:3:1:1),(A)₃(B)₂(A)₁(B)₂(3:2:1:2),(A)₂(B)₃(A)₂(B)₁(2:3:2:1),(A)₂(B)₁(A)₁(B)₂(A)₁(B)₁(2:2:1:2:1:1)及び(A)₂(B)₂(A)₁(B)₁(A)₁(B)₁(2:2:1:1:1:1),を合成した。これら6種類の異性体はそれぞれ,単位格子当たり2個,4個,4個,4個,6個及び6個の界面をもつことが分かった。6種類の異性体の電気輸送特性を調べ,電気抵抗,キャリア濃度及び移動度はよく似ているが,成分層の厚さに対しては系統的に依存することが分かった。成分間の電荷移動はSnSe層の厚さに依存し,キャリアの移動度はNbSe₂層の厚さによって決まることが分かった。

シソーラス用語： *スズ化合物 ,  *セレン化物 ,  *セレン化ニオブ ,  *異性体 ,  *輸送現象 ,  *薄膜 ,  電荷移動 ,  *界面 ,  ナノ構造 ,  電気抵抗 ,  移動度 ,  キャリア密度
準シソーラス用語： *セレン化スズ

分類 (3件)： 塩  (CD01050V) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (5件)： サブユニット ,  薄膜 ,  構造異性体 ,  性質 ,  界面