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J-GLOBAL ID：201502284671650597   整理番号：15A0735169

平面,テキスチャード加工および反射防止層被覆テキスチャード加工シリコン上にスパッタ堆積した銀ナノ粒子のモルフォロジーと光学的性質

Morphology and optical properties of sputter deposited silver nanoparticles on plain, textured and antireflection layer coated textured silicon

著者 (3件)： SARDANA Sanjay K. (Centre for Energy Studies, Indian Inst. of Technol. Delhi, New Delhi 110016, IND) ,  CHAVA Venkata Surya N. (Centre for Energy Studies, Indian Inst. of Technol. Delhi, New Delhi 110016, IND) ,  KOMARALA Vamsi K. (Centre for Energy Studies, Indian Inst. of Technol. Delhi, New Delhi 110016, IND)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 347  ページ： 651-656  発行年： 2015年08月30日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： RFおよびパルスDC電源マグネトロンスパッタリングとその後のいろいろな温度での熱アニールを用いて,平面シリコン(P-Si),テキスチャード加工シリコン(T-Si),および窒化シリコン被覆テキスチャード加工シリコン(Si₃N₄/T-Si)基板上に銀ナノ粒子(AgNP)を形成した。AgNPのサイズ,モルフォロジーおよび濃度は,シリコントポロジー,材料(Si/Si₃N₄),電源(DC/RF)およびアニール温度に非常に敏感であった。AgNPのモルフォロジー研究から,P-SiはT-SiとSi₃N₄/T-Si基板に比べてシリコントポグラフィーの変化が原因で大きなNP成長に有利であり,またRF電源スパッタリングは,パルスDC電源スパッタリングに比べて堆積速度の変化に起因して大きなNPサイズに有利に働くことを見出した。T-SiとSi₃N₄/T-Si基板との間のAgNPsのサイズに大きな変化は見出されなかった。AgNPの堆積後,全反射率および透過率測定を用いて,P-Si,T-SiおよびSi₃N₄/T-Si基板の光閉じ込めについて調べた。励起AgNPsの表面プラズモン共鳴は,多色スペクトルの反射だけでなく,波長に依存する光吸収の増大をもたらした。AgNPs結合T-Siにおいて,全波長領域でミクロンスケールテキスチャード加工SiおよびナノスケールAgとの同時光相互作用による最大の反射率低減(~8%)を見出した。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ナノ粒子 ,  モルフォロジー ,  *スパッタ蒸着 ,  *ウエハ【IC】 ,  *反射防止膜 ,  *テキスチャード加工 ,  *マグネトロンスパッタリング ,  熱処理 ,  *平面 ,  *窒化ケイ素 ,  トポグラフィー【形態】 ,  *反射率 ,  透過率 ,  プラズマ共鳴 ,  光吸収 ,  閉込め ,  反射スペクトル ,  粒度分布 ,  *ケイ素 ,  *銀
準シソーラス用語： DCマグネトロンスパッタリング ,  RFマグネトロンスパッタリング ,  *銀ナノ粒子 ,  光反射率 ,  光閉込め ,  表面プラズモン共鳴 ,  粒子形状

分類 (4件)： 固体の表面構造一般  (BK15010E) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  固体プラズマ  (BM02160W) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： テキスチャード加工 ,  防止層 ,  シリコン ,  スパッタ堆積 ,  銀ナノ粒子 ,  モルフォロジー ,  光学的性質