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J-GLOBAL ID：201502284907650577   整理番号：15A0212557

パワーモジュールにおけるパッケージ技術の現状と展望

著者 (4件)： 池田良成 (富士電機 電子デバイス研) ,  西村芳孝 (富士電機 電子デバイス研) ,  望月英司 (富士電機 電子デバイス研) ,  高橋良和 (富士電機 電子デバイス研)
資料名： スマートプロセス学会誌  (Journal of Smart Processing - for Materials, Environment & Energy -)
巻： 4  号： 1  ページ： 46-50  発行年： 2015年01月20日 
JST資料番号： F0907C  ISSN： 2186-702X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： パワーエレクトロニクスの基幹部品であるパワーモジュールのパッケージ技術について紹介した。Siのパワー半導体を搭載したパッケージ及び実装技術としてIGBTモジュールの熱設計技術について解説し,大電流や高電流密度での使用に対応した冷却装置一体型モジュールについても述べた。また,信頼性設計技術として,はんだ接合,引張強度および熱時効特性,温度サイクル試験を用いた長期信頼性について述べ,さらにデバイス表面電極膜技術を紹介した。実用化が進んできたワイドバンドギャップデバイスでは,次世代パワー半導体として期待されているSiCの高速,高温動作に対応できることを考慮し,接続信頼性も確保するパッケージの開発についても紹介した。

シソーラス用語： *回路モジュール ,  熱設計 ,  *信頼性 ,  はんだ付 ,  炭化ケイ素
準シソーラス用語： *パワーモジュール ,  *パッケージ

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (11件)：

• 1) 関康和、他:“パワー半導体の現状と展望”、富士時報、 82-6 (2009) 358-361.
• 2) S.Adachi, et al:“High thermal conductivity technology to realize high power density IGBT modules for electric and hybrid vehicles”, PCIM Europe, 2012.
• 3) 郷原弘道、他:“ハイブリッド自動車用IPM のパッケージ技術”、富士時報、86-4 (2013) 257-262.
• 4) 両角朗、他:“パワー半導体モジュールにおける信頼性設計技術”、富士時報, 74-2 (2001) 145-148.
• 5) Y.Nishimura, et al:“All lead free IGBT module with excellent reliability”, 17th ISPSD, 2005.

タイトルに関連する用語 (4件)： パワーモジュール ,  パッケージ ,  現状 ,  展望