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J-GLOBAL ID:201502285039546527   整理番号:15A0649338

P3HT:PC61BM系太陽電池の光起電力性能のベンゼンスルホニルクロリド誘導体によるインジウムスズ酸化物電極の表面処理により修飾されたアノード仕事関数への依存性の詳細検討

Detailed investigation of dependencies of photovoltaic performances of P3HT:PC61BM based solar cells on anodic work function modified by surface treatment of indium-tin-oxide electrode with benzenesulfonyl chloride derivatives
著者 (9件):
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巻: 23  ページ: 164-170  発行年: 2015年08月 
JST資料番号: W1352A  ISSN: 1566-1199  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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ポリ(3-ヘキシルチオフェン)と[6,6]-フェニル-C61-酪酸メチルエステル(P3HT:PC61BM)に基づくバルクヘテロ接合(BHJ)太陽電池の光起電力(PV)特性は,自己組織化単分子膜(SAM)としてのCH3O-,H-,Cl-,CF3-,およびNO2-末端ベンゼンスルホニルクロリドを用いて化学的に修飾されたインジウムスズ酸化物(ITO)アノード電極を用いることで改善された。ITO電極表面は,反応性SO2Cl結合基の化学的修飾を介して容易に処理され,修飾されたITOの仕事関数(WF)は,ベンゼンスルホニルクロリドのパラ位に導入された基の永久双極子モーメントに応じて効果的に変化した。接触電位差の変化で補正されたITOのWFと,SAMモデルの計算された双極子モーメントの間での相関関係を調べた。また,P3HTの最高占有分子軌道(HOMO)レベルから±0.2eV以内にある種々のWFを有するSAMあるいはポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン):ポリ(スチレンスルホン酸)(PEDOT:PSS)処理されたITOを用いたP3HT:PC61BM系BHJ有機PVセルのPV特性を調べた。電力変換効率(ηP)に及ぼすSAMの増強効果は,Cl(ηP=3.72%)で最大に達し,PEDOT:PSS(ηP=3.62%)よりも大きくなることを見出した。二つの別個のJsc依存性,即ち,アノードITOのWFの増加に伴う増加そして減少は,それぞれ,ドナーのHOMOレベルよりも高いあるいは低いWFで観察された。種々のSAM修飾ITOで,ほぼ一定のVoc値(0.6V周辺)が得られたが,これはアノードFermi準位とドナーポリマーの正のポーラロン準位を整列させることによるFermi準位ピニングが起きたことを示唆している。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (4件):
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太陽電池  ,  電子放出一般  ,  ポーラロン,電子-フォノン相互作用  ,  その他の接合 
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