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J-GLOBAL ID：201502285673379293   整理番号：15A0597544

一軸歪下のシリセンのDirac点およびvan Hove特異点

Dirac points and van Hove singularities of silicene under uniaxial strain

著者 (2件)： LIN Xianqing (Wilczek Quantum Center, Zhejiang Univ. of Technol., Hangzhou 310023, CHN) ,  NI Jun (State Key Lab. of Low-Dimensional Quantum Physics and Collaborative Innovation Center of Quantum Matter, Dep. of ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 117  号： 16  ページ： 164305-164305-6  発行年： 2015年04月28日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *歪 ,  *ケイ素 ,  *バンド構造 ,  *特異点 ,  *Brillouin帯 ,  グラフェン ,  群速度 ,  Fermi準位 ,  ナノ構造 ,  単一層 ,  第一原理 ,  ハニカム構造 ,  *密度汎関数法 ,  *電子構造 ,  格子歪
準シソーラス用語： *Dirac点 ,  Fermi速度 ,  *van Hove特異点 ,  アームチェア構造 ,  ジグザグ構造 ,  *シリセン ,  *一軸歪

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 一軸歪 ,  シリセン ,  Dirac点 ,  VAN ,  特異点