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J-GLOBAL ID：201502285824753486   整理番号：15A0479217

二段階電気化学剥離を使った低欠陥濃度の数層グラフェン

Low defect concentration few-layer graphene using a two-step electrochemical exfoliation

著者 (6件)： HUANG Xuhua (Huazhong Univ. Sci. and Technol., Wuhan, CHN) ,  LI Senlin (Huazhong Univ. Sci. and Technol., Wuhan, CHN) ,  QI Zhiqiang (Huazhong Univ. Sci. and Technol., Wuhan, CHN) ,  ZHANG Wei (Huazhong Univ. Sci. and Technol., Wuhan, CHN) ,  YE Wei (Huazhong Univ. Sci. and Technol., Wuhan, CHN) ,  FANG Yanyan (Huazhong Univ. Sci. and Technol., Wuhan, CHN)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 26  号： 10  ページ： 105602,1-6  発行年： 2015年03月13日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェン製作には様々な方法が試みれているが,その中で電気化学剥離は,低コスト,非毒性,簡単操作で魅力的方法である。電解質が重要な働きをし,イオン液体,高分子量ポリマー,極性溶剤,界面活性剤,無機溶液などが使われてきたがH₂SO₄のような無機溶液が多く調べられている。二段階電気化学インターカレーション剥離法で低欠陥密度の数層グラフェン(FLG)を製作した。水酸化ナトリウム溶液でのグラフェンフォイル前処理に続いて,硫酸溶液中で剥離を行った。前処理でグラフェンフォイルが拡張し,硫酸溶液中での最終剥離が容易になった。得られたFLGシートは低欠陥濃度で,DとGピークの強度比は0.29である。また,膜中の酸素を含む官能基も少なく,C/O値は11.02である。これ等の結果かあ,二段階法は高品質FLGを高歩留まりで作る良い方法である。

シソーラス用語： *グラフェン ,  *電気化学 ,  *剥離 ,  電解質 ,  インターカレーション ,  欠陥密度 ,  水酸化ナトリウム ,  前処理 ,  硫酸 ,  結合エネルギー

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (4件)： 段階 ,  電気化学 ,  欠陥 ,  数層グラフェン