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J-GLOBAL ID：201502285860024067   整理番号：15A0431591

イオン-ゲル誘電体によるるグラフェンのDirac点電圧の調整とソフト電子デバイスへのその応用

Modulation of the Dirac Point Voltage of Graphene by Ion-Gel Dielectrics and Its Application to Soft Electronic Devices

著者 (17件)： KIM Un Jeong (Samsung Advanced Inst. of Technol., Gyeonggi-do, KOR) ,  KIM Tae Geun (Samsung Advanced Inst. of Technol., Gyeonggi, KOR) ,  KIM Tae Geun (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  SHIM Youngseon (Samsung Advanced Inst. of Technol., Gyeonggi-do, KOR) ,  PARK Yeonsang (Samsung Advanced Inst. of Technol., Gyeonggi-do, KOR) ,  LEE Chang-Won (Samsung Advanced Inst. of Technol., Gyeonggi-do, KOR) ,  KIM Tae-Ho (Samsung Advanced Inst. of Technol., Gyeonggi-do, KOR) ,  LEE Hyo Sug (Samsung Advanced Inst. of Technol., Gyeonggi-do, KOR) ,  CHUNG Dae-Young (Samsung Advanced Inst. of Technol., Gyeonggi-do, KOR) ,  KIHM Jineun (Samsung Advanced Inst. of Technol., Gyeonggi-do, KOR) ,  ROH Young-Geun (Samsung Advanced Inst. of Technol., Gyeonggi-do, KOR) ,  LEE Jaesoong (Samsung Advanced Inst. of Technol., Gyeonggi-do, KOR) ,  SON Hyungbin (Chung-Ang Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Sangsig (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  HUR Jaehyun (Gachon Univ., Gyeonggi-do, KOR) ,  HWANG Sung Woo (Samsung Advanced Inst. of Technol., Gyeonggi-do, KOR) ,  HWANG Sung Woo (Samsung Advanced Inst. of Technol., Gyeonggi, KOR)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 9  号： 1  ページ： 602-611  発行年： 2015年01月 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,メインゲート誘電体成分として使用されるイオン液体の種類を変更することにより,グラフェントランジスタのDirac点電圧の体系的調節について報告した。真空(約950mTorr)の下で20分間,メタン(30sccm)及び水素(100sccm)を流して,985°CでのCVDにより,厚さ75μmの銅箔上にグラフェンを合成した。Nanobase装置を用いて,グラフェン素子のRamanスペクトル及びマップを取得し,半導体特性評価装置を用いて,全ての電気的データを室温で測定した。著者等は,グラフェントランジスタのDirac点電圧の位置を制御して,2つの異なるイオン液体を用いた相補型金属酸化膜半導体(CMOS)様グラフェン系インバータが,非常に低い電源電圧で完全に作動することを示した。また,これらの結果は,低消費電力で柔軟な伸縮性のCMOS様グラフェン系電子デバイスの開発に広く適用できることを示唆した。

シソーラス用語： *グラフェン ,  *トランジスタ ,  *誘電体薄膜 ,  *イオン液体 ,  化学合成 ,  化学蒸着 ,  Ramanスペクトル ,  *論理回路 ,  固体素子 ,  消費電力 ,  半導体 ,  液膜 ,  バンド構造 ,  *ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： *ゲート誘電体 ,  *CMOSインバータ ,  ソフト電子デバイス ,  低消費電力 ,  Dirac点

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： イオン ,  ゲル ,  誘電体 ,  グラフェン ,  Dirac点 ,  ソフト ,  電子デバイス ,  応用