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J-GLOBAL ID：201502286205343628   整理番号：15A0718884

成長条件にパラメータの依存したGe/Si量子ドットを有する光検出器および太陽電池

Photodetectors and solar cells with Ge/Si quantum dots parameters dependence on growth conditions

著者 (4件)： LOZOVOY Kirill A. (National Res. Tomsk State Univ., Tomsk, RUS) ,  VOITSEKHOVSKII Alexander V. (National Res. Tomsk State Univ., Tomsk, RUS) ,  KOKHANENKO Andrey P. (National Res. Tomsk State Univ., Tomsk, RUS) ,  SATDAROV Vadim G. (National Res. Tomsk State Univ., Tomsk, RUS)
資料名： International Journal of Nanotechnology  (International Journal of Nanotechnology)
巻： 12  号： 3/4  ページ： 209-217  発行年： 2015年 
JST資料番号： A1346A  ISSN： 1475-7435  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *光検出器 ,  *太陽電池 ,  *量子ドット ,  ケイ素 ,  ゲルマニウム ,  薄膜成長 ,  半導体薄膜 ,  プロセスパラメータ ,  温度条件 ,  基板温度 ,  量子井戸 ,  分光感度 ,  エネルギー変換効率 ,  多層構造 ,  *MBE成長
準シソーラス用語： 成長条件

分類 (3件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F) ,  太陽電池  (NC03084O) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 成長条件 ,  パラメータ ,  Ge ,  Si ,  量子ドット ,  光検出器 ,  太陽電池