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J-GLOBAL ID：201502286250659687   整理番号：15A0590103

ゾル-ゲル法で調製した酸化インジウム薄膜の構造的,光学的,電気的性質に対する前駆体濃度の影響

Influence of precursor concentration on the structural, optical and electrical properties of indium oxide thin film prepared by a sol-gel method

著者 (3件)： LAU L.N. (School of Applied Physics, Fac. of Sci. and Technol., Universiti Kebangsaan Malaysia, Bangi, 43600 Selangor, Malaysia) ,  IBRAHIM N.B. (School of Applied Physics, Fac. of Sci. and Technol., Universiti Kebangsaan Malaysia, Bangi, 43600 Selangor, Malaysia) ,  BAQIAH H. (School of Applied Physics, Fac. of Sci. and Technol., Universiti Kebangsaan Malaysia, Bangi, 43600 Selangor, Malaysia)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 345  ページ： 355-359  発行年： 2015年08月01日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化インジウム(In₂O₃)薄膜の物理的性質に対するいろいろな前駆体濃度の効果を調べる研究を行った。In₂O₃は有望なn型半導体材料で,その高い透明性によりオプトエレクトロニック用途に利用されてきた。これはワイドバンドギャップ(約3.7eV)をもつ透明導電性酸化物である。実験はいろいろな前駆体濃度の硝酸インジウム水和物(In(NO₃)・H₂O)溶液の調製から始まり,続くスピンコーティング後に500°Cでアニールした。酸化インジウム薄膜をX線回折や紫外-可視分光法,電界放出形走査電子顕微鏡およびHall効果測定システムを使ってキャラクタリゼーションし,いろいろなモル濃度の酸化インジウムによって生じた影響を決定した。その結果,この膜の厚さは酸化インジウムのモル濃度と共に増加することが分かった。膜の厚さは0.3~135.1nmの範囲にあり,膜の光透明度は94%以上であった。0.30Mで調製した酸化インジウム薄膜で,26.60cm2V^-1S^-1の移動度と4.27×10¹⁷cm^-3のキャリア密度をもつ,2.52Ωcmという最低抵抗率を観測した。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ゾル-ゲル法 ,  スピンコーティング ,  *酸化インジウム ,  *透明導電膜 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  前駆体 ,  濃度依存性 ,  光吸収スペクトル ,  *光学定数 ,  透過率 ,  *Hall移動度 ,  キャリア密度 ,  電気抵抗率 ,  優先配向 ,  多結晶

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (7件)： ゾル-ゲル法 ,  調製 ,  酸化インジウム ,  薄膜 ,  光学 ,  電気的性質 ,  前駆体