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J-GLOBAL ID：201502286348789600   整理番号：15A0342652

Ag/ZnOショットキーダイオードの電気的特性及び光応答性に対する照度の影響

Influence of illumination intensity on the electrical characteristics and photoresponsivity of the Ag/ZnO Schottky diodes

著者 (5件)： ZHU RuiJuan (School of Physics and Electronics, Key Lab. of Photovoltaic Materials, Inst. of Microsystem, Henan Univ., Kaifeng ...) ,  ZHANG XinAn (School of Physics and Electronics, Key Lab. of Photovoltaic Materials, Inst. of Microsystem, Henan Univ., Kaifeng ...) ,  ZHAO JunWei (School of Physics and Electronics, Key Lab. of Photovoltaic Materials, Inst. of Microsystem, Henan Univ., Kaifeng ...) ,  LI RuoPing (School of Physics and Electronics, Key Lab. of Photovoltaic Materials, Inst. of Microsystem, Henan Univ., Kaifeng ...) ,  ZHANG WeiFeng (School of Physics and Electronics, Key Lab. of Photovoltaic Materials, Inst. of Microsystem, Henan Univ., Kaifeng ...)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 631  ページ： 125-128  発行年： 2015年05月15日 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnO薄膜を,ITOガラス基板上に,RFマグネトロンスパッタリング法により成長させた。Ag/ZnO/ITOの構成を有するショットキーダイオードが従来から作製され,ダイオードが良好な整流性を示すことが観察されてきた。ZnO膜の構造及び光学的特性を,X線回折法及び分光光度法によって調べた。Ag/ZnOダイオードの電流-電圧(I-V)特性を,様々な照明の下で測定した。順方向バイアス電流-電圧の測定値を使用し,ダイオードの理想係数,障壁の高さと直列抵抗等の電気的パラメータを決定した。Ag/ZnOショットキーダイオードは,界面層,界面状態と直列抵抗のために非理想的な挙動を示した。障壁の高さおよび理想係数値は,照度の強い関数であることが判った。理想係数と照度の増加に伴い障壁の高さが低下する結果を示した。CheungとNorde方法から得たR_sの値は,照度の増加に伴って減少した。ダイオードの光応答特性を分析し,ダイオードが高速応答を示すことを明らかにした。調製したダイオードは,光電子デバイスとして使用できると評価した。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *Schottky障壁ダイオード ,  銀 ,  *酸化亜鉛 ,  効果 ,  *電流電圧特性 ,  因子 ,  境界層 ,  電気抵抗 ,  照度 ,  依存性 ,  光照射 ,  Schottky障壁 ,  高さ ,  スパッタ蒸着 ,  マグネトロンスパッタリング ,  ガラス ,  酸化インジウムスズ
準シソーラス用語： RFマグネトロンスパッタリング ,  イルミネーション効果 ,  照度依存性 ,  障壁高さ ,  直列抵抗 ,  理想因子 ,  ITOガラス

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ag ,  ZnO ,  ショットキーダイオード ,  電気的特性 ,  光応答 ,  照度