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J-GLOBAL ID：201502286559093378   整理番号：15A0648154

捻った2層グラフェン中のvan Hove特異性の起源

Origin of van Hove singularities in twisted bilayer graphene

著者 (8件)： RIBEIRO H.B. (Mackgraphe-Graphene and Nanomaterials Res. Center, Mackenzie Presbyterian Univ., 01302-907 Sao Paulo, BRA) ,  SATO K. (Sendai National Coll. of Technol., Sendai 989-3128, JPN) ,  ELIEL G.S.N. (Departamento de Fisica, UFMG, 30123-970 Belo Horizonte, BRA) ,  DE Souza E.A.T. (Mackgraphe-Graphene and Nanomaterials Res. Center, Mackenzie Presbyterian Univ., 01302-907 Sao Paulo, BRA) ,  LU Chun-Chieh (Dep. of Electrical Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan) ,  CHIU Po-Wen (Dep. of Electrical Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan) ,  SAITO R. (Dep. of Physics, Tohoku Univ., Sendai 980-8578, JPN) ,  PIMENTA M.A. (Departamento de Fisica, UFMG, 30123-970 Belo Horizonte, BRA)
資料名： Carbon  (Carbon)
巻： 90  ページ： 138-145  発行年： 2015年08月 
JST資料番号： H0270B  ISSN： 0008-6223  CODEN： CRBNA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 3種のレーザ励起エネルギー(1.96と2.33と2.54eV)を使用して,0~30°のねじり角の連続分布を有する捻った2層グラフェン(TBG)の100以上の試料の共鳴Raman分光法研究について紹介する。全ての研究した試料のRamanイメージから,ねじり角が9~17°にある試料のGバンドの巨大な増大が観察できて,TBGsの以前のRaman研究に一致した。しかし,低い(<9°)あるいは高い(>17°)ねじり角の多くの試料も調べたが,これらの試料に予測されたGバンド増大が観察できなかった。今回の結果から,状態密度のvan Hove特異性が必ずしも遷移対称性を示さないMoireパターンに関連すると結論を下すことができる。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *グラフェン ,  多分子層 ,  ねじり ,  角度依存性 ,  *Raman分光法 ,  共鳴Ramanスペクトル ,  スペクトル解析 ,  バンド構造 ,  状態密度 ,  特異点
準シソーラス用語： van Hove特異点

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  無機化合物の赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル  (BM08063C)

タイトルに関連する用語 (4件)： 2層グラフェン ,  VAN ,  特異性 ,  起源