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J-GLOBAL ID：201502286672848601   整理番号：15A0039639

懸濁吸収体熱電対二層を有する熱電対列ベース赤外検出器の設計【Powered by NICT】

Design of Thermopile-Based Infrared Detectors with Suspended Absorber-Thermopile Bi -Layers

著者 (7件)： Chen Yuanjing (North Univ. of China Ministry Education Key Lab of Instrumentation Sci. and Dynamic Measurement;;Key Lab. of ...) ,  Mao Haiyang (North Univ. of China Ministry Education Key Lab of Instrumentation Sci. and Dynamic Measurement;;Key Lab. of ...) ,  Tan Qiulin (North Univ. of China Ministry of Education Key Lab of Instrumentation Sci. and Dynamic Measurement, Taiyuan) ,  Xue Chenyang (North Univ. of China Ministry of Education Key Lab of Instrumentation Sci. and Dynamic Measurement, Taiyuan) ,  Ou Wen (Inst. of Microelectronics,Chinese Acad. of Sciences Key Lab. of Microelectronics Devices and Integrated ...) ,  Chen Dapeng (Inst. of Microelectronics,Chinese Acad. of Sciences Key Lab. of Microelectronics Devices and Integrated ...) ,  Xiong Jijun (North Univ. of China Ministry of Education Key Lab of Instrumentation Sci. and Dynamic Measurement, Taiyuan)
資料名： Chuangan Jishu Xuebao  (Chuangan Jishu Xuebao)
巻： 27  号： 6  ページ： 730-735  発行年： 2014年 
JST資料番号： C2450A  ISSN： 1004-1699  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい赤外(IR)検出器を設計し,提示した。検出器は比較的小さいサイズと高い性能を達成するために懸濁吸収体サーモパイル二重層を利用した。二重層は二つの分離した犠牲層を用いて実現され,これは熱電対列下のポリSi膜と熱電対列上ポリイミド堆積を含んでいる。シミュレーション結果は赤外検出器の検出能,責任,応答時間は2 85×10~8cmHz~((1 /2))/W1,1 800V/Wおよび6ms,それぞれに達することができることを実証した。さらに,IR検出器の作製は標準CMOSプロセス,結果として,高い収率と安価の生産を可能にすると適合する。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *吸収体 ,  *熱電対 ,  ベース【半導体】 ,  *赤外検出器 ,  赤外線 ,  *検出器 ,  ポリシリコン ,  応答時間
準シソーラス用語： サーモパイル ,  二重層 ,  犠牲層 ,  検出能 ,  CMOSプロセス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 懸濁 ,  吸収体 ,  熱電対 ,  二層 ,  赤外検出器 ,  設計