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J-GLOBAL ID:201502286703550584   整理番号:15A0572474

高衝撃出力DCマグネトロンスパッタリングを用いたバンドギャップ調節Zn1-xMgxOの共蒸着

Co-deposition of band-gap tuned Zn1-xMgxO using high impulse power- and dc-magnetron sputtering
著者 (6件):
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巻: 48  号: 13  ページ: 135301,1-8  発行年: 2015年04月10日 
JST資料番号: B0092B  ISSN: 0022-3727  CODEN: JPAPBE  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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Zn1-xMgxOは,ZnOの3.3eVからMgOの7.7eVまでの紫外領域における広範なバンドギャップ範囲を持つ光学的に透明な半導体である。しかし,この2つの物質間の構造の違いから,不溶性限界が存在し,限界を超えると立方構造とウルツ構造が共存し,全域組成領域において均質な構造を持つ化合物を作製することは難しい。高衝撃出力DCマグネトロンスパッタリング(HiPIMS)蒸着法は,蒸着膜を非常に制御された方法で作製できる優れた蒸着技術である。これを用いて高品質な金属酸化物薄膜を作製できるかどうかは,いまだに議論の余地があるが,最近,高品質で透明なAlまたはMgをドープしたZnO膜の作製に成功した研究が報告されている。本研究では,200°Cの中間的な温度で,HiPIMSによりサファイヤ基板上にZn1-xMgxOの共蒸着膜を作製し,その電気的,光学的,モルフォロジー的性質を調べた。その結果,約0.32の不溶性限界濃度まで,光学バンドギャップはxとともに単調に増加することがわかった。また,550°Cで熱処理を施した薄膜は,圧縮応力が減って電気伝導率が著しく低下した。共蒸着膜から紫外線フィルタ検出器を作製し,この素子は330~355nmのバンドパス動作を行うことを明らかにした。
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分類 (2件):
分類
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酸化物薄膜  ,  無機化合物の可視・紫外スペクトル 
タイトルに関連する用語 (5件):
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