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J-GLOBAL ID：201502286707433400   整理番号：15A0429303

半導性原子層の横方向ヘテロ構造の合成

Synthesis of Lateral Heterostructures of Semiconducting Atomic Layers

著者 (5件)： ZHANG Xin-Quan (National Tsing-Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  LIN Chin-Hao (National Tsing-Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  TSENG Yu-Wen (National Tsing-Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  HUANG Kuan-Hua (National Tsing-Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  LEE Yi-Hsien (National Tsing-Hua Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 15  号： 1  ページ： 410-415  発行年： 2015年01月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元材料である遷移金属ジカルコゲニド(TMD)による薄膜面内ヘテロ構造の作製は,剥離/移動を基本とする従来法では極めて困難である。ここでは,石英管炉及び反応器を用いた常圧のCVD装置のガス流と反応の精密な制御を行い,単層のヘテロTMD(MoS₂-WS₂,及びMoSe₂-WSe₂)の面内ヘテロ構造を,ペリレン誘導体を種結晶形成促進剤として用いて,直接合成した。光ルミネセンス,及びRamanスペクトルによりヘテロ構造に寄与するTMDの単層性を確かめ,Cs補正原子分解能STEM-HAADF観察,及び第二高調波発生により対称性を調べ,面内ヘテロ構造の一次元界面が格子におけるアームチェアではなくジグザグ方向であることを示した。

シソーラス用語： *カルコゲン化物 ,  *遷移金属化合物 ,  タングステン化合物 ,  セレン化物 ,  硫化物 ,  モリブデン化合物 ,  半導性 ,  *単原子層 ,  *ヘテロ接合 ,  化学蒸着 ,  光ルミネセンス ,  Raman分光分析 ,  透過型走査電子顕微鏡 ,  第二高調波発生
準シソーラス用語： CVD【化学蒸着】 ,  HAADF-STEM ,  カルコゲニド

分類 (2件)： 金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

物質索引 (1件)： ペリレン-3,4,9,10-テトラカルボン酸二無水物

タイトルに関連する用語 (4件)： 半導性 ,  原子層 ,  横方向 ,  ヘテロ構造