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J-GLOBAL ID：201502286819356777   整理番号：15A0674784

ドライアイス爆破打ち上げプロセスによる平面磁気抵抗デバイスへの垂直電流の製作

Fabrication of a Current-Perpendicular to Plane Magneto-resistive Device with a Dry Ice Blasting Lift-off Process

著者 (4件)： MIYAKE Kousaku (Dep. of Electronic Engineering, Tohoku Univ.) ,  HISATSUNE Yoshimi (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Kyushu Univ.) ,  TSUNODA Masakiyo (Dep. of Electronic Engineering, Tohoku Univ.) ,  SAHASHI Masashi (Dep. of Electronic Engineering, Tohoku Univ.)
資料名： Journal of the Magnetics Society of Japan  (Journal of the Magnetics Society of Japan)
巻： 39  号： 3  ページ： 107-110 (J-STAGE)  発行年： 2015年 
JST資料番号： Z0944A  ISSN： 1882-2924  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サブミクロンサイズの磁気トンネル接合を,磁気トンネル接合レジストのためのドライアイス爆破打ち上げプロセスを使用して製作した。製作したデバイスは,超音波洗浄器において,従来の化学打ち上げプロセスで作られたデバイスと転送特性についてはほとんど相違のない事を示した。新規プロセスの優れた特徴は,狭いオリフィスにおける透明な液体CO₂フローで,よく冷却したノズルからのソフトで純粋なドライアイスジェットが実現できたことである。純粋ジェットでは,サンプルウエハーの表面の汚れやダメージがなかった。ドライアイス爆破は250nm以下の平面サイズでより小さい柱状デバイスのレジストを効果的に削除できた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ドライアイス ,  *発破 ,  *打上作業 ,  *平面 ,  *磁気抵抗素子 ,  *垂直 ,  *電流 ,  サブミクロン加工 ,  トンネル接合 ,  レジスト ,  洗浄装置 ,  オリフィス
準シソーラス用語： 磁気トンネル接合 ,  超音波洗浄器

分類 (1件)： 磁電デバイス  (NC03100X)

引用文献 (5件)：

• 1) Robert Sherman, John Grob and Walter Whilock: J. Vac. Sci. Technol., B 9, 1970 (1991).
• 2) Robert Sherman, Drew Hirt and Ronald Vane: J. Vac. Sci. Technol., A 12, 1876 (1994)
• 3) Yi-Hung Liu, Hiroyuki Maruyama and Shuji Matsusaka: Advanced Power Technology, 21, 652 (2010).
• 4) Yi-Hung Liu, Graham Calvert, Colin Hare, Mojtaba Ghdiri and Shuji Matsusaka: Journal of Aerosol Science, 48, 1 (2012).
• 5) http://www.epoch-j.com/profile.htm (As of January 1, 2015)

タイトルに関連する用語 (6件)： ドライアイス ,  爆破 ,  プロセス ,  磁気抵抗デバイス ,  垂直 ,  製作