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J-GLOBAL ID：201502286947592483   整理番号：15A0274968

歪誘起電子-フォノン結合改変を用いたペンタセン薄膜トランジスタにおける電荷輸送の同調

Tuning charge transport in pentacene thin-film transistors using the strain-induced electron-phonon coupling modification

著者 (3件)： LIN Yow-Jon (National Changhua Univ. of Education, Inst. of Photonics, 500, Changhua, Taiwan) ,  CHANG Hsing-Cheng (Feng Chia Univ., Dep. of Automatic Control Engineering, 407, Taichung, Taiwan) ,  LIU Day-Shan (National Formosa Univ., Graduate Inst. of Electro-Optical and Materials Sci., 632, Huwei, Taiwan)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 118  号： 4  ページ： 1205-1210  発行年： 2015年03月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子-フォノン結合改変に役立つMoO_xキャップ層を用いたボトム電極ペンタセン系有機薄膜トランジスタ(OTFT)における電荷輸送の同調を報告した。MoO_xフロントゲートを持つOTFTに対して,増強電界効果キャリア移動度を調べた。時間領域データは電子捕獲モデルを確証した。移動度増強の起源を理解するために,温度依存Hall効果特性の解析を示した。同様に,ペンタセンフロント表面にMoO_x層を被覆することにより,Hall効果キャリア移動度は劇的に増大した。しかし,キャリア濃度は影響されなかった。Hall効果キャリア移動度は強い温度依存性を示した。これは低(高)温におけるトンネリング(ホッピング)の優勢を示す。移動度増強は,長寿命電子捕獲の寄与に起因する電子-フォノン結合改変に由来すると考えられる。Copyright 2014 Springer-Verlag Berlin Heidelberg Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  *電子-フォノン相互作用 ,  電気伝導 ,  酸化モリブデン ,  ゲート【半導体】 ,  *キャリア移動度 ,  トンネル効果 ,  ホッピング伝導 ,  有機半導体 ,  保護膜 ,  Hall効果 ,  温度依存性 ,  格子歪 ,  ポリアセン
準シソーラス用語： 電荷輸送 ,  電界効果移動度 ,  *有機薄膜トランジスタ

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  ポーラロン,電子-フォノン相互作用  (BM02130P)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (8件)： 歪 ,  誘起 ,  電子-フォノン結合 ,  改変 ,  ペンタセン ,  薄膜トランジスタ ,  電荷輸送 ,  同調