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J-GLOBAL ID：201502287018996894   整理番号：15A0423730

220~330GHz帯のミリ波検出用GaAsSb/InAlAs/InGaAsトンネルダイオード

GaAsSb/InAlAs/InGaAs Tunnel Diodes for Millimeter Wave Detection in 220-330-GHz Band

著者 (9件)： PATRASHIN Mikhail (National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  SEKINE Norihiko (National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  KASAMATSU Akifumi (National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  WATANABE Issei (National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  HOSAKO Iwao (National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  TAKAHASHI Tsuyoshi (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  SATO Masaru (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  NAKASHA Yasuhiro (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  HARA Naoki (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 62  号： 3  ページ： 1068-1071  発行年： 2015年03月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 220~330GHz帯のミリ波検出用GaAsSb/InAlAs/InGaAsトンネルダイオードを報告する。温度安定性を17~300Kで調べた。ダイオード構造はSb含有GaAsSb層の千鳥配置バンドギャップを使い,InAlAs障壁でデバイスパラメータの最適化が一層容易にできるようになっている。構造はInP基板と格子整合し,モノリシック集積回路プロセスと適合性がある。0.8×0.8μm2のメサデバイスは室温で1400V/Wの平均電圧感度を示した。遮断周波数は322GHzである。電流電圧特性はSchottkyダイオードよりも優れた温度安定性を示した。温度範囲T=17~300Kでの感度ばらつきは1.7dBである。

シソーラス用語： 検出器 ,  *トンネルダイオード ,  トンネル効果 ,  アンチモン化物 ,  ガリウム化合物 ,  ヒ化物 ,  配置 ,  バンドギャップ ,  電流電圧特性 ,  遮断周波数 ,  バンド構造 ,  ヒ化ガリウムインジウム
準シソーラス用語： GaAsSb ,  InGaAs ,  トンネリング ,  *ミリ波検出器 ,  千鳥配置

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (5件)： ミリ波 ,  GaAsSb ,  InAlAs ,  InGaAs ,  トンネルダイオード