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J-GLOBAL ID:201502287095344395   整理番号:15A0445523

赤外光検出器及び光電デバイスのためのナノ構造化光カソード

Nanostructured Photocathodes for Infrared Photodetectors and Photovoltaics
著者 (3件):
資料名:
巻: 119  号:ページ: 1683-1689  発行年: 2015年01月29日 
JST資料番号: W1877A  ISSN: 1932-7447  CODEN: JPCCCK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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パルス電着法によりCuSCNシード層上にCuSCNナノワイヤ(NW)アレイを製作し,その上に化学浴堆積法を用い,5°C及び50°CでPbS層(吸収層)を堆積した。50°Cで堆積した場合,粒塊サイズはBohr励起子半径より大きくバルクPbSに近いことが分かった。酸化インジウムスズ上に作製したCuSCNNW/PbSを光カソード,Ag,AuまたはAlをアノードとする光電デバイスを作製し,近赤外光(784nm)及び赤外光(1550nm)照射下で光電流を測定した。その結果,50°Cで堆積したPbS吸収層を含む光カソードと銀アノードからなるデバイスがより大きな光電流を与えることが分かった。
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分類 (2件):
分類
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電気化学反応  ,  太陽光発電 
タイトルに関連する用語 (5件):
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