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J-GLOBAL ID：201502287561695926   整理番号：15A0481329

CuInS₂量子ドット,ナノディスク,ナノロッドおよびドープZn-CuInGaS₂量子ドットのナノクラスタシード媒介合成

Nanocluster seed-mediated synthesis of CuInS₂ quantum dots, nanodisks, nanorods, and doped Zn-CuInGaS₂ quantum dots

著者 (5件)： PERERA Sanjaya D. (Cornell Univ., Dep. of Materials Sci. and Engineering, Ithaca, New York 14853, USA. [e-mail]) ,  ZHANG Haitao ,  DING Xiaoyue ,  NELSON Andrew ,  ROBINSON Richard D.
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 3  号： 5  ページ： 1044-1055  発行年： 2015年02月07日 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シード媒介量子ドット成長を用いた最近の研究は,ナノ粒子の形状と組成を制御する核生成中心を提供するために,ナノ粒子シードが有用な方法であることを示す。ここでは,硫黄源として(NH₄)₂Sを用いて,CuInS₂量子ドット(q-ドット)と,Znおよび/またはGaドープCuInS₂(Zn-CuInGaS₂)q-ドットを合成するための,容易なナノクラスタシード媒介プロトコルを提示する。金属カチオンに対する(NH₄)₂Sの高い反応性のために,低温(60°C)でCuInS₂ナノクラスタ(低結晶性の<2nm)中間体を単離できる。「ヒートアップ」合成法の条件を変えることにより,これらのナノクラスタは異なる形態(q-ドット,ナノディスクとナノロッド)と,異なる結晶相(黄銅鉱,ウルツ鉱)のCuInS₂に成長できる。さらに,ナノクラスタ形成中または結晶成長段階中のいずれかでドーパントを導入することにより,Ga³⁺とZn²⁺イオンをq-ドットに組み込むことができ,CuInGaS₂およびCuInZnS q-ドットをもたらす。GaとZnの両方の組み込みは,CuInS₂と比較して光ルミネセンス強度を増加させる。さらに,吸収スペクトルと光ルミネセンス発光ピークは,より短い波長にシフトする。このナノクラスタ法で,五成分のZn-CuInGaS₂も初めて合成した。四成分のCuInGaS₂およびCuInZnSと比較して,ZnとGaがともに存在する場合,吸収スペクトルの大きな青方偏移を観察する。Zn-CuInGaS₂の興味深い光学特性は,それを光起電力デバイスや発光ダイオードのための魅力的な材料とする。中間体のCuInS₂ナノクラスタを単離する能力は,将来多様な調整した四成分と五成分金属カルコゲナイドを合成するための戦略を提供する。Copyright 2015 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *量子ドット ,  *インジウム化合物 ,  *銅化合物 ,  *硫化物 ,  *ガリウム化合物 ,  *ナノ構造 ,  ナノロッド ,  黄銅鉱型結晶 ,  ウルツ鉱型結晶 ,  亜鉛化合物 ,  光学的性質 ,  結晶成長 ,  結晶構造 ,  化合物半導体 ,  紫外可視吸収スペクトル
準シソーラス用語： ナノディスク ,  硫化銅インジウム

分類 (2件)： 塩  (CD01050V) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (7件)： CuInS2 ,  量子ドット ,  ナノディスク ,  ナノロッド ,  ドープ ,  Zn ,  ナノクラスタ