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J-GLOBAL ID：201502288814575970   整理番号：15A0640680

単イオン導体(重合イオン液体トリブロック共重合体膜):n型トランジスタに用いる高静電容量電解質ゲート

Single Ion Conducting, Polymerized Ionic Liquid Triblock Copolymer Films: High Capacitance Electrolyte Gates for n-type Transistors

著者 (5件)： CHOI Jae-Hong (Univ. Minnesota, Minnesota, USA) ,  XIE Wei (Univ. Minnesota, Minnesota, USA) ,  GU Yuanyan (Univ. Minnesota, Minnesota, USA) ,  FRISBIE C. Daniel (Univ. Minnesota, Minnesota, USA) ,  LODGE Timothy P. (Univ. Minnesota, Minnesota, USA)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 7  号： 13  ページ： 7294-7302  発行年： 2015年04月08日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい単イオン導体(重合イオン液体(PIL)トリブロック共重合体(PS-PIL-PS))は,TFSIアニオンだけを伝導することを示した。PS-PIL-PSのインピーダンスにおけるキャラクタリゼーションは,3つの分極化領域を明らかにした:(1)双極緩和,(2)イオン移動,および(3)電気二重層(EDL)形成。それらの分極化領域を,膜厚によって制御した。そして,迅速なEDL形成を,薄い高分子電解質膜において得ることができた。それぞれの高分子電解質膜厚における,静電気容量および位相角と周波数との関係を調べた。ゲート絶縁膜としてのこの単イオン導体PILトリブロック共重合体を用いて,著者らは,電気化学的ドーピングを妨げることによって,n型有機電解質ゲートトランジスタの低電圧駆動を達成した。

シソーラス用語： 有機半導体 ,  高分子電解質 ,  イオン液体 ,  重合体 ,  薄膜トランジスタ ,  *トリブロック共重合体 ,  *静電容量 ,  *イオン輸送 ,  電気二重層 ,  ドーピング ,  *ポリスチレン ,  *ポリメタクリル酸エステル ,  アンモニウム化合物 ,  第四アンモニウム
準シソーラス用語： *イオン移動 ,  イミダゾリウム塩 ,  側鎖基効果

分類 (2件)： 共重合  (CG04030D) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (9件)： イオン ,  導体 ,  重合 ,  イオン液体 ,  トリブロック共重合体 ,  トランジスタ ,  静電容量 ,  電解質 ,  ゲート