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J-GLOBAL ID：201502289091034289   整理番号：15A0708813

熱成長酸化バナジウム膜とその電気的性質

Thermally grown vanadium oxide films and their electrical properties

著者 (2件)： ORTEGA-REYES L. (Centro de Investigacion y Estudios Avanzados del IPN, Departamento de Ingenieria Electrica, Seccion de Electronica ...) ,  AVILA-GARCIA A. (Centro de Investigacion y Estudios Avanzados del IPN, Departamento de Ingenieria Electrica, Seccion de Electronica ...)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 37  ページ： 123-128  発行年： 2015年09月 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なる方法で作った酸化バナジウム膜の金属絶縁物トランジスタ(MIT)は多くの研究所で調べられている。それは67°Cに近い温度を横切るときに発生する数桁の抵抗変化で構成されている。本研究では,酸化シリコン基板上に真空蒸着したバナジウム膜を熱処理して合成したVO_x膜の特性を記す。この熱酸化処理は大気の下の異なる温度で決められた時間行った。エリプソメータ測定で熱処理後の層の厚さと光学定数を決定した。XRDパターン,Raman,FTIR測定から,酸素含有量の異なるいくつかの相,V₂O₃,V₃O₅,VO₂,V₂O₅が酸化時間と温度に依存して見つかった。標準の金属-絶縁物-金属構造を使って膜の電流-温度測定を行った。同じ構造に対する前回の研究とは異なり,この測定からはMITが観察されなかった。一方,室温の電流電圧測定から,ほとんどの構造での正規結果としてはっきりしたメムリスティブ挙動がみられた。このメムリスティブ挙動は,前述のバナジウム酸化物における金属絶縁物トランジスタというよりも,格子中にある様々な酸素空孔量を含む膜中の複雑な欠陥構造によるものである。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化膜 ,  *酸化バナジウム ,  *電気的性質 ,  変化 ,  エリプソメータ ,  電流電圧特性 ,  X線回折 ,  Raman分光分析 ,  FTIR分光法
準シソーラス用語： XRD ,  抵抗変化 ,  熱成長酸化膜

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (3件)： 成長 ,  酸化バナジウム ,  電気的性質