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J-GLOBAL ID：201502289759819445   整理番号：15A0418863

パターン形成されたSi(001)基板に成長したInPの表面モフォロジーへの成長温度効果

Effects of growth temperature on surface morphology of InP grown on patterned Si(001) substrates

著者 (14件)： LEE Sang-Moon (Compound Device Lab, Samsung Advanced Inst. of Technol., Samsung Electronics, Yongin, Gyeonggi-do 446-712, KOR) ,  LEE Sang-Moon (Departmant of Materials Sci. and Engineering, Seoul National Univ., 1 Gwanak-ro, Gwanak-gu, Seoul 151-742, KOR) ,  CHO Young Jin (Compound Device Lab, Samsung Advanced Inst. of Technol., Samsung Electronics, Yongin, Gyeonggi-do 446-712, KOR) ,  CHO Young Jin (Departmant of Materials Sci. and Engineering, Seoul National Univ., 1 Gwanak-ro, Gwanak-gu, Seoul 151-742, KOR) ,  PARK Jong-Bong (Analytical Engineering Group, Samsung Advanced Inst. of Technol., Samsung Electronics, Yongin, Gyeonggi-do 446-712, KOR) ,  SHIN Keun Wook (Departmant of Materials Sci. and Engineering, Seoul National Univ., 1 Gwanak-ro, Gwanak-gu, Seoul 151-742, KOR) ,  HWANG Euichul (Compound Device Lab, Samsung Advanced Inst. of Technol., Samsung Electronics, Yongin, Gyeonggi-do 446-712, KOR) ,  LEE Sunghun (Compound Device Lab, Samsung Advanced Inst. of Technol., Samsung Electronics, Yongin, Gyeonggi-do 446-712, KOR) ,  LEE Myoung-Jae (Compound Device Lab, Samsung Advanced Inst. of Technol., Samsung Electronics, Yongin, Gyeonggi-do 446-712, KOR) ,  CHO Seong-Ho (Compound Device Lab, Samsung Advanced Inst. of Technol., Samsung Electronics, Yongin, Gyeonggi-do 446-712, KOR) ,  SU Shin Dong (Dep. of Electronics and Computer Engineering, Hanyang Univ., Seoul 133-791, KOR) ,  PARK Jinsub (Dep. of Electronics and Computer Engineering, Hanyang Univ., Seoul 133-791, KOR) ,  YOON Euijoon (Departmant of Materials Sci. and Engineering, Seoul National Univ., 1 Gwanak-ro, Gwanak-gu, Seoul 151-742, KOR) ,  YOON Euijoon (Energy Semiconductor Res. Center, Advanced Institutes of Convergence Technol., Seoul National Univ., Suwon 443-270, KOR)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 416  ページ： 113-117  発行年： 2015年04月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パターン形成されたSi(001)基板に,様々な成長温度で有機金属化合物蒸着を用いて高品質InPを選択成長した。パターン形成されたSi表面と高温成長(HT)したInP層とのバッファー層としてInP及びGaP層を用いた。パターン形成された基板上にHT InPを成長する温度は,表面モフォロジーを含む成長挙動に強く影響した。650°Cと550°Cで成長したSAG InP層は,典型的な{111}ファセットと滑らかな(001)面を示した。反フェーズのドメイン境界と欠陥は,エッチングされたSi基板の側部の側壁に捕らえられた。エッチングされたSiの表面の中の欠陥ネッキング効果により,550°Cの成長温度で原子論的に滑らかな表面を有する無欠陥のInP層が得られた。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *パターン形成 ,  *ウエハ【IC】 ,  リン化インジウム ,  *表面構造 ,  温度 ,  ファセット ,  逆位相境界 ,  格子欠陥 ,  *MOCVD
準シソーラス用語： *Si基板 ,  ドメイン境界 ,  成長温度

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  結晶成長技術・装置  (BK13020B)

タイトルに関連する用語 (6件)： パターン形成 ,  Si ,  成長 ,  InP ,  表面モフォロジー ,  温度効果