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J-GLOBAL ID:201502290499422838   整理番号:15A0620873

p+-Si上の多孔質Si系Alショットキー構造: ナノショットキー調製のための可能な方法

Porous Si Based Al Schottky Structures on p+-Si: A Possible Way for Nano Schottky Fabrication
著者 (3件):
資料名:
巻: 168  ページ: 41-49  発行年: 2015年06月20日 
JST資料番号: B0535B  ISSN: 0013-4686  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,Al/p-Si/Al,Al/p+-Si/Al及びAl/PS/p+-Si/Alデバイス間の比較研究の結果を示した。電気化学的アノード酸化法により調製した多孔質シリコン層のAl/por-Si/p+-Si/Alヘテロ接合デバイスの電流輸送機構を,10~300Kの温度範囲内で温度依存の電流-電圧測定を用いて研究し,これらの測定値をAl/p-Si/Alダイオードのためにも実現した。多孔質Si層の多孔度特性を,断面SEM画像及びPL測定によって調べた。p+-Si基板上への多孔質シリコン(PS)のAl配線で形成したダイオードのようなSchottkyのために良い整流を観察し,20KでAl/p-Si/Alダイオードで凍結実施にもかかわらず,6K温度でも継続した。さらに,それは,Al/PS/p+-Si/Alヘテロ接合デバイスが,単一に非常に近い理想係数,0.63eVである高い障壁高さ,及び300Kで,30Ωである直列抵抗の小さい値である優れた接合パラメータを示すことを報告した。しかし,Al/p-Si/Alダイオードに基づく結晶シリコンと比較して,このヘテロ接合デバイスの高い直列抵抗値は,PSに関連した。高温では,電流輸送機構が,熱イオン電界放出機構によるものであることに留意されたい。しかし,低温で,Richardsonプロットの信頼性の低い変動が見られ,かつ明確なガウス分布は,Φb vs. q/2kTの関係に見られない。この挙動は,高濃度ドープシリコンに起因した。さらに,この研究では,電流輸送機構は,PSにFowler Nordheimトンネリングの理論を用いて議論され,移行/拡散によるトンネリングはPSにおける電荷輸送の主な機構であることを提案した。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
分類
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電気化学反応  ,  ダイオード 

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