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J-GLOBAL ID：201502290847357590   整理番号：15A0609823

希ガスのハロゲン結合錯体における異方性電子分布と電荷移動における役割の捕捉

Catching the role of anisotropic electronic distribution and charge transfer in halogen bonded complexes of noble gases

著者 (7件)： BARTOCCI Alessio (Dipartimento di Chimica, Biologia e Biotecnologie, Universita di Perugia, Perugia 06123, ITA) ,  BELPASSI Leonardo (Istituto di Scienze e Tecnologie Molecolari del CNR, Perugia 06123, ITA) ,  CAPPELLETTI David (Dipartimento di Chimica, Biologia e Biotecnologie, Universita di Perugia, Perugia 06123, ITA) ,  FALCINELLI Stefano (Dipartimento di Ingegneria Civile ed Ambientale, Universita degli Studi di Perugia, 06125 Perugia, ITA) ,  GRANDINETTI Felice (Dipartimento per la Innovazione nei sistemi Biologici, Agroalimentari e Forestali (DIBAF), Universita della Tuscia ...) ,  TARANTELLI Francesco (Dipartimento di Chimica, Biologia e Biotecnologie, Universita di Perugia, Perugia 06123, ITA) ,  PIRANI Fernando (Dipartimento di Chimica, Biologia e Biotecnologie, Universita di Perugia, Perugia 06123, ITA)
資料名： Journal of Chemical Physics  (Journal of Chemical Physics)
巻： 142  号： 18  ページ： 184304-184304-14  発行年： 2015年05月14日 
JST資料番号： C0275A  ISSN： 0021-9606  CODEN： JCPSA6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 希ガス(Ng)原子とCCl₄およびCF₄の気相の弱く結合した付加体を調べた。この研究は,基礎的なプロセスから生化学までの範囲の分野において役割を果たす分子間ハロゲン結合(XB),構造モチーフに関する現在の広範な興味に触発された。XBを特徴づける錯体システムの静的および動的挙動のシミュレーションには,信頼できる正確なモデルポテンシャルの定式が必要であり,その開発には,単純な典型となるハロゲン化システムに起こる相互作用の強度と性質に関する詳細なキャラクタリゼーションに依存している。かくて,原型的なNg-CCl₄とNg-CF₄を選択し,高い選択性をもつ,それらの分子間ポテンシャルの絶対スケールを測るために高分解分子ビーム散乱実験を行った。一般に,サイズ(交換)反発と分散/誘起引力の組み合わせで構成される,典型的なvan der Waals相互作用をプローブすることを期待した。He/Ne-CF₄に関しては,積分断面積の速度依存性に見られる壮観な量子干渉パターンの解析によって,この期待を実際に確認した。一方,He/Ne/Ar-CCl₄に関しては,散乱データは,特に相互作用パートナーの一定の配置に対して,より深いポテンシャル井戸の存在を解明した。この実験データは,分散引力の増加する役割および付加的な短距離安定化成分を伴う,短距離での反発のシフトを含めるだけで,適切に再現できる。これらの発見に確実な基礎を与えるために,相互作用している錯体の選択した幾何構造に対して正確な理論計算を行い,分子間相互作用と構成している部分の電子電荷密度に対する錯体形成の影響を計算した。かくて,実験の解析で示唆されるポテンシャルの調整は,2つの化学的に意味のある寄与,すなわち,CCl₄のCl原子周辺の電荷分布の異方性から生じる安定化相互作用,および実験で主にプローブされる分子間距離で起こる立体特異的電子移動を実際に反映することを究明した。今回のモデル計算によって,CCl₄の頂点構造は最大の効果があるが,他の構造は小さなあるいは無視できる役割となることを示唆した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *希ガス ,  *ハロゲン ,  *分布 ,  *電荷移動 ,  分子間ポテンシャル ,  分子ビーム ,  van der Waals力 ,  積分断面積 ,  速度依存性 ,  干渉 ,  分子間相互作用 ,  電荷分布 ,  密度 ,  *分子化合物
準シソーラス用語： *電子分布 ,  ファンデルワールス相互作用 ,  量子干渉 ,  電荷密度 ,  *分子錯体

分類 (2件)： 分子間相互作用  (BH07020P) ,  分子の電子構造  (BH05010Q)

タイトルに関連する用語 (8件)： 希ガス ,  ハロゲン結合 ,  錯体 ,  異方性 ,  電子分布 ,  電荷移動 ,  役割 ,  捕捉