文献

J-GLOBAL ID：201502291205996323   整理番号：15A0501331

グラフェンとの相関酸化物界面に出現する性質の制御

Control of Emergent Properties at a Correlated Oxide Interface with Graphene

著者 (7件)： ZHOU You (Harvard Univ., Massachusetts, USA) ,  PARK Jungwon (Harvard Univ., Massachusetts, USA) ,  SHI Jian (Harvard Univ., Massachusetts, USA) ,  CHHOWALLA Manish (State Univ. New Jersey, New Jersey, USA) ,  PARK Hyesung (Ulsan National Inst. of Sci. and Technol., Ulsan, KOR) ,  WEITZ David A. (Harvard Univ., Massachusetts, USA) ,  RAMANATHAN Shriram (Harvard Univ., Massachusetts, USA)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 15  号： 3  ページ： 1627-1634  発行年： 2015年03月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 相関酸化物であるVO₂と種々の電解質による電気二重層トランジスタ(EDLT)において,VO₂素子の酸化物-電解質界面にグラフェン単層膜を挿入することにより,素子の電気化学反応を決定的に制御できることを示した。優れたイオン性絶縁体である原子的に薄いグラフェンを用い,電解質のイオン,及びドーパント(リチウム及び水素イオンのような)から反応性の酸化物表面を分離し,電解質(イオン液体)によるEDLTのゲート機能を検証した。結果は酸化バナジウムEDLTのチャネル抵抗の数桁に渡る変調と絶縁状態の保持が単層グラフェンの挿入により可能となることを示した。

シソーラス用語： *酸化バナジウム ,  電解質 ,  *トランジスタ ,  *電気二重層 ,  界面 ,  挿入 ,  *グラフェン ,  イオン液体
準シソーラス用語： *二酸化バナジウム ,  *単層グラフェン

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  脂肪族アミン・イミン・第四アンモニウム・インモニウム  (CF03070L) ,  その他の半導体を含む系の接触  (BM03086O)

物質索引 (1件)： ビス(トリフルオロメタンスルホン)イミド

タイトルに関連する用語 (5件)： グラフェン ,  相関 ,  酸化物 ,  界面 ,  性質