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J-GLOBAL ID：201502291319950854   整理番号：15A0069042

シリコン基板におけるルチルTiO₂ナノロッドアレイから製作した高感度高速応答UVフォトダイオード

Highly sensitive fast-response UV photodiode fabricated from rutile TiO₂ nanorod array on silicon substrate

著者 (3件)： SELMAN Abbas M. (Nano-Optoelectronics Res. and Technol. Lab. (N.O.R.), School of Physics, Universiti Sains Malaysia, Penang 11800 ...) ,  SELMAN Abbas M. (Dep. of Pharmacology and Toxicology, Coll. of Pharmacy, Univ. of Kufa, Najaf, Iraq) ,  HASSAN Z. (Nano-Optoelectronics Res. and Technol. Lab. (N.O.R.), School of Physics, Universiti Sains Malaysia, Penang 11800 ...)
資料名： Sensors and Actuators. A. Physical  (Sensors and Actuators. A. Physical)
巻： 221  ページ： 15-21  発行年： 2015年01月01日 
JST資料番号： B0345C  ISSN： 0924-4247  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： TiO₂層シードによりP型Si基板上に成長したルチルTiO₂ナノロッドに基づく紫外線フォトダイオードを無線周波数反応マグネトロンスパッタリングで製作した。ルチルTiO₂ナノロッドを成長するため化学浴析出を行った。サンプルの構造および光特性を決定するためX線回折および電界放出走査電子顕微鏡を用いた。合成TiO₂ナノロッドは正方晶ルチル構造を示した。本素子はバイアス電圧5Vにおいて325nm光(1.6mW/cm)に暴露した場合に感度3.79×10²を示した。これに加え,本フォトセンサの内部利得は4.792となり,光応答ピークは460mA/Wとなった。光電流は46.09×10^-4Aとなった。5Vバイアス電圧におけるパルス化UV光(325nm,1.6mW/cm²)照射下でのPDの応答および回復時間はそれぞれ50.8および57.8m秒となった。Copyright 2014 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ウエハ【IC】 ,  ルチル ,  酸化チタン ,  *配列 ,  紫外線 ,  *フォトダイオード ,  マグネトロンスパッタリング ,  析出 ,  正方晶系 ,  光電流
準シソーラス用語： *シリコン基板 ,  *ナノロッドアレイ ,  二酸化チタン ,  化学浴析出

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  光導電素子  (NC03083X) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (8件)： シリコン基板 ,  ルチル ,  TiO2 ,  ナノロッドアレイ ,  製作 ,  高感度 ,  高速応答 ,  フォトダイオード