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J-GLOBAL ID:201502291856242858   整理番号:15A0590951

高分子支援化学溶液堆積による被覆導体用の厚いLa2Zr2O7バッファ層の成長

Growth of thick La2Zr2O7 buffer layers for coated conductors by polymer-assisted chemical solution deposition
著者 (9件):
資料名:
巻: 513  ページ: 18-23  発行年: 2015年06月15日 
JST資料番号: T0580A  ISSN: 0921-4534  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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La2Zr2O7(LZO)エピタキシャル膜をLaAlO3(LAO)(100)単結晶表面上と2軸組織NiW(200)合金基板上へ高分子支援化学溶液堆積により堆積し,その後,XRD,SEM,及びAFM法により調べた。高度に面内と面外の方位,稠密,滑らか,亀裂がない,十分な厚み(>240nm)LZOバッファ層がLAO(100)単結晶基板上に得られた。NiW(200)合金基板上に堆積した膜も高い程度で面内と面外の組織化しており,ピンホールのない良好な密度,微小亀裂のない性質,及び300nmの膜厚であった。高度にエピタキシャルの500nm厚YBa2Cu3O7-x(YBCO)薄膜は自己磁場臨界電流密度(Jc)は77Kで1.3MA/cm2に達した。これら結果から,この手法で得られたLZOエピ薄膜はREBCO被覆導体用のバッファ層として有望であることが実証された。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (3件):
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超伝導材料  ,  酸化物薄膜  ,  電線・ケーブル 

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