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J-GLOBAL ID：201502292526323580   整理番号：15A0598482

Tiドープしたダイヤモンド状炭素膜の応力低減機構のab initio分子動力学シミュレーション

Ab initio molecular dynamics simulation on stress reduction mechanism of Ti-doped diamond-like carbon films

著者 (3件)： LI Xiaowei (Key Lab. of Marine Materials and Related Technologies, Zhejiang Key Lab. of Marine Materials and Protective ...) ,  KE Peiling (Key Lab. of Marine Materials and Related Technologies, Zhejiang Key Lab. of Marine Materials and Protective ...) ,  WANG Aiying (Key Lab. of Marine Materials and Related Technologies, Zhejiang Key Lab. of Marine Materials and Protective ...)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 584  ページ： 204-207  発行年： 2015年06月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Tiドープダイヤモンド状炭素(DLC)のTi濃度(1.56~7.81at.%)の関数としての構造特性をab initio法分子動力学シミュレーションにより調べ,応力低減機構を明らかにした。結果はDLC膜へのTi導入により,残留圧縮応力がまず低下した後増加することを示し,以前の実験結果と一致した。構造解析はTi添加が高度に歪んだ結合角と結合距離を効率的に緩和させ,残留応力を低減することを明らかにした。高Ti濃度での残留応力の増加は,歪んだTi-C構造の存在と歪んだC-C結合距離の比率増加に起因した。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： チタン ,  ドーピング ,  *ダイヤモンド状炭素 ,  炭素 ,  薄膜 ,  ab initio法 ,  *計算機シミュレーション ,  圧縮応力 ,  核間距離 ,  構造解析 ,  *残留応力 ,  C-C結合
準シソーラス用語： 結合距離 ,  残留圧縮応力 ,  炭素膜 ,  *分子動力学シミュレーション

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： Ti ,  ドープ ,  ダイヤモンド状炭素 ,  応力低減 ,  分子動力学シミュレーション