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J-GLOBAL ID：201502294764449862   整理番号：15A0561625

二層グラフェンドメイン壁におけるトポロジカルバレー輸送

Topological valley transport at bilayer graphene domain walls

著者 (18件)： JU Long (Univ. California, Berkeley, California, USA) ,  SHI Zhiwen (Univ. California, Berkeley, California, USA) ,  NAIR Nityan (Univ. California, Berkeley, California, USA) ,  LV Yinchuan (Univ. California, Berkeley, California, USA) ,  JIN Chenhao (Univ. California, Berkeley, California, USA) ,  VELASCO Jairo, Jr. (Univ. California, Berkeley, California, USA) ,  OJEDA-ARISTIZABAL Claudia (Univ. California, Berkeley, California, USA) ,  ZETTL Alex (Univ. California, Berkeley, California, USA) ,  ANALYTIS James (Univ. California, Berkeley, California, USA) ,  WANG Feng (Univ. California, Berkeley, California, USA) ,  BECHTEL Hans A. (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  MARTIN Michael C. (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  ZETTL Alex (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  ANALYTIS James (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  WANG Feng (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  ZETTL Alex (Kavli Energy NanoSci. Inst., Univ. California, Berkeley and the Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  ANALYTIS James (Kavli Energy NanoSci. Inst., Univ. California, Berkeley and the Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  WANG Feng (Kavli Energy NanoSci. Inst., Univ. California, Berkeley and the Lawrence Berkeley National Lab., California, USA)
資料名： Nature (London)  (Nature (London))
巻： 520  号： 7549  ページ： 650-655  発行年： 2015年04月30日 
JST資料番号： D0193B  ISSN： 0028-0836  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子バレーは,スピンに似た自由度であり,ここから,二層グラフェンに新しいトポロジカル相が生じる可能性がある。調整可能なバンドギャップを,外部電場によって二層グラフェンに発生させることができ,そのようなギャップがある二層グラフェンは,ノーバレー(no-valley)混合対称性によって保護されたトポロジカル絶縁相になり,量子バレーホール効果やカイラルエッジ状態の特徴を持つと予想されている。しかし,実際の二層グラフェンの端に存在する原子スケールの欠陥によってバレー間散乱が起こるため,そうしたカイラルエッジ状態の観測は困難である。最近の理論研究によって,AB積層とBA積層の二層グラフェン間のドメイン壁は,量子バレーホール絶縁体の保護されたカイラルエッジ状態を維持できることが示された。本論文では,二層グラフェンドメイン壁においてバリスティックな(すなわち,電子散乱がない)導電性チャネルを実験的に観測した結果を報告する。我々は,近接場赤外ナノメートルスケール顕微鏡(ナノスコピー)を用いて,デバイス基板上の二層グラフェン層の積層ドメイン壁をin situで画像化し,このドメイン壁に基づいてデュアルゲート電界効果トランジスターを作製した。垂直電場下でギャップがある絶縁性挙動を示す単一ドメインの二層グラフェンとは異なり,二層グラフェンのドメイン壁は,バリスティック長が4Kで約400nmの一次元バレー分極導電性チャネルの特徴を示す。二層グラフェンのドメイン壁におけるトポロジカルに保護されたこうした一次元カイラル状態は,グラフェンにおける特異なトポロジカル相やバレー物理を探究する機会を開くものである。Copyright Nature Publishing Group 2015

シソーラス用語： グラフェン ,  逆位相境界 ,  位相幾何学 ,  *バリスティック輸送 ,  FET【トランジスタ】 ,  トポロジカル相 ,  *二層グラフェン ,  エッジ状態
準シソーラス用語： *分域壁 ,  対称性に保護されたトポロジカル相 ,  カイラルエッジ状態

分類 (1件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (3件)： 二層グラフェン ,  ドメイン壁 ,  輸送