文献

J-GLOBAL ID：201502294842666247   整理番号：15A0682410

1Gb/sI/O速度の128Gb 3b/素子 V-NANDフラッシュメモリ

A 128Gb 3b/cell V-NAND Flash Memory with 1Gb/s I/O Rate

著者 (34件)： IM Jae-Woo (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  JEONG Woo-Pyo (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  KIM Doo-Hyun (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  NAM Sang-Wan (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  SHIM Dong-Kyo (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  CHOI Myung-Hoon (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  YOON Hyun-Jun (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  KIM Dae-Han (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  KIM You-Se (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  PARK Hyun-Wook (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  KWAK Dong-Hun (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  PARK Sang-Won (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  YOON Seok-Min (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  HAHN Wook-Ghee (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  RYU Jin-Ho (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  SHIM Sang-Won (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  KANG Kyung-Tae (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  CHOI Sung-Ho (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  IHM Jeong-Don (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  MIN Young-Sun (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  KIM In-Mo (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  LEE Doo-Sub (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  CHO Ji-Ho (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  KWON Oh-Suk (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  LEE Ji-Sang (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  KIM Moo-Sung (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  JOO Sang-Hyun (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  JANG Jae-Hoon (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  HWANG Sang-Won (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  BYEON Dae-Seok (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  YANG Hyang-Ja (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  PARK Ki-Tae (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  KYUNG Kye-Hyun (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  CHOI Jeong-Hyuk (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR)
資料名： Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference  (Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference)
巻： 2015  ページ： 130-131,131(1)  発行年： 2015年 
JST資料番号： D0753A  ISSN： 0193-6530  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *NAND回路 ,  *フラッシュメモリ ,  半導体チップ ,  *電力消費 ,  *三次元 ,  *積層構造 ,  配線 ,  薄膜コンデンサ ,  スループット ,  帯域幅
準シソーラス用語： NANDフラッシュメモリ ,  ワードライン ,  MIMキャパシタ

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (1件)： Si