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J-GLOBAL ID：201502295347117306   整理番号：15A0743071

アノード酸化薄層HfO₂ゲート誘電体を用いた低電圧a-InGaZnO薄膜トランジスタ

Low-Voltage a-InGaZnO Thin-Film Transistors With Anodized Thin HfO₂ Gate Dielectric

著者 (6件)： SHAO Yang (Peking Univ., Shenzhen, CHN) ,  XIAO Xiang (Peking Univ., Shenzhen, CHN) ,  HE Xin (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  DENG Wei (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  ZHANG Shengdong (Peking Univ., Shenzhen, CHN) ,  ZHANG Shengdong (Peking Univ., Beijing, CHN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 36  号： 6  ページ： 573-575  発行年： 2015年06月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低電圧a-InGaZnO薄膜トランジスタ用のゲート誘電体として,費用効率の高いアノード酸化法を用いて成長させた薄いHfO₂膜を検討した。物理膜厚20.8nmのHfO₂膜について,等価酸化膜厚3.8nm,誘電率約21,さらに低漏れ電流密度3.6×10^-8A/cm²を示した。これを用いて作製したa-InGaZnO薄膜トランジスタについて,小サブ閾値スイング109mV/decade,飽和移動度8.1cm²/Vs,および1×10⁷を超えるオンオフ電流比を示した。

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  ガリウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  酸化インジウム ,  *酸化ハフニウム ,  *アノード酸化 ,  *誘電体薄膜 ,  電圧 ,  *ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： IGZO【半導体】 ,  *ゲート誘電体 ,  低電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： アノード酸化 ,  薄層 ,  HfO2 ,  ゲート誘電体 ,  低電圧 ,  トランジスタ