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J-GLOBAL ID:201502296332142823   整理番号:15A0649323

高い電子移動度を有する溶液処理単結晶ペリレンジイミドトランジスタ

Solution-processed single-crystal perylene diimide transistors with high electron mobility
著者 (9件):
資料名:
巻: 23  ページ: 64-69  発行年: 2015年08月 
JST資料番号: W1352A  ISSN: 1566-1199  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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ゲート誘電体としてのポリスチレン(PS)/SiO2の二重層を有する非対称ペリレンテトラカルボン酸ジイミド(a-PDI)化合物に基づく単結晶電界効果トランジスタ(FET)を成功裡に実証した。この単結晶は,簡単な溶液蒸着法から基板上に成長させたが,このように大面積エレクトロニクス用途に適しているだろう。PS修飾されたゲート誘電体は,SiO2表面上のヒドロキシル基による電荷トラップを最小限に抑えることができた。得られた溶液処理単結晶トランジスタは,周囲大気中で特性評価し,約1.2cm2V-1s-1の最大の電子移動度と,高いオンオフ比(Ion:Ioff>105)を示した。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (4件):
分類
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トランジスタ  ,  有機化合物の結晶成長  ,  固体の表面構造一般  ,  誘電体一般 
タイトルに関連する用語 (5件):
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