文献

J-GLOBAL ID：201502296494082310   整理番号：15A0145839

GaN薄膜に基づくホロー陰極プラズマ支援原子層堆積の電子素子及び光学素子への応用

Electronic and optical device applications of hollow cathode plasma assisted atomic layer deposition based GaN thin films

著者 (5件)： BOLAT Sami (Dep. of Electrical and Electronics Engineering, Bilkent Univ., 06800, Ankara, Turkey and UNAM, National ...) ,  TEKCAN Burak (Dep. of Electrical and Electronics Engineering, Bilkent Univ., 06800, Ankara, Turkey and UNAM, National ...) ,  OZGIT-AKGUN Cagla (UNAM, National Nanotechnology Res. Center, Bilkent Univ., 06800, Ankara, Turkey and Inst. of Materials Sci. and ...) ,  BIYIKLI Necmi (UNAM, National Nanotechnology Res. Center, Bilkent Univ., 06800, Ankara, Turkey and Inst. of Materials Sci. and ...) ,  OKYAY Ali Kemal (Dep. of Electrical and Electronics Engineering, Bilkent Univ., 06800, Ankara, Turkey; UNAM, National Nanotechnology ...)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 33  号： 1  ページ： 01A143-01A143-6  発行年： 2015年01月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ホロー陰極プラズマ支援原子層堆積(PA-ALD)を用いて,薄膜トランジスタ(TFT)や金属-半導体-金属(MSM)光検出器などの電子素子や電気光学重水素素子を実証した。GaN薄膜の電気抵抗率と金属-GaN接触抵抗を焼なまし温度の関数として調べた。プラズマガスとメタライゼーション後焼なましがTFT及びMSM光検出器の性能に及ぼす影響を調べた。また,MSM素子の暗電流対電圧及び応答挙動を調べた。N₂/H₂PA-ALDに基づくGaNチャンネルを持つTFTはNH₃ PA-ALDに基づくトランジスタよりも安定性と移動特性が優れていた。MSM光検出器の暗電流はN₂:H₂雰囲気中の高温焼なまし後に大きく抑制された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  ホロー陰極 ,  プラズマCVD ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  メタライゼーション ,  焼なまし ,  暗電流 ,  *光検出器 ,  *薄膜成長 ,  プラズマ ,  X線吸収スペクトル
準シソーラス用語： *原子層堆積 ,  電流密度電圧特性

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (9件)： GaN ,  薄膜 ,  ホロー陰極 ,  プラズマ ,  支援 ,  原子層堆積 ,  電子素子 ,  光学素子 ,  応用