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J-GLOBAL ID：201502296509001540   整理番号：15A0440727

熱安定性が良い高Curie温度BiFeO₃-PbTiO₃-Bi(Zn_1/2Ti_1/2)O₃-PbZrO₃圧電セラミック

High curie temperature BiFeO₃-PbTiO₃-Bi(Zn_1/2Ti_1/2)O₃-PbZrO₃ piezoceramics with good thermal stability

著者 (3件)： NING Haixia (Tongji Univ., Functional Materials Res. Lab., No. 4800 Caoan Road, 201804, Shanghai, CHN) ,  NING Haixia (Suzhou Vocational Univ., Dep. of Mechano-Electronic Engineering, 215104, Suzhou, Jiangsu, CHN) ,  HOU Xianbo (Tongji Univ., Functional Materials Res. Lab., No. 4800 Caoan Road, 201804, Shanghai, CHN)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 26  号： 3  ページ： 1690-1694  発行年： 2015年03月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (0.80-x)BiFeO₃-(x)PbTiO₃-0.15Bi(Zn_1/2Ti_1/2)O₃-0.05PbZrO₃(BF-PT-BZT-PZ)セラミック(x=0.26,0.28,0.30)を設計し,通常の固相反応法で制作した。微細構造,強誘電,誘電,圧電特性,熱劣化を調べた。典型的飽和P-Eヒステリシスループを求めると,残留分極P_rが30μC/cm²で抗電界E_cは70kV/cmと高かった。誘電および圧電特性はPT含有量と共に増加し,x=0.30の試料は,誘電率ε^T₃₃/ε₀=365,tanδ=0.017のロス,圧電係数d₃₃=85pC/N,Curie温度T_c~550°Cを示した。熱アニーリングの調査で三つの組成すべてが高い熱安定性を有し,熱的減極温度T_dは~450°Cであった。Copyright 2014 Springer Science+Business Media New York Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *熱安定性 ,  *Curie温度 ,  *圧電セラミック ,  ビスマス化合物 ,  フェライト ,  鉄化合物 ,  チタン酸鉛 ,  ジルコニウム酸鉛 ,  亜鉛化合物 ,  チタン化合物 ,  酸化物 ,  固相反応 ,  微細構造 ,  強誘電性 ,  特性 ,  誘電性 ,  熱劣化 ,  曲線 ,  残留分極 ,  抗電場 ,  誘電率 ,  損失正接 ,  定数
準シソーラス用語： tanδ ,  ジルコン酸鉛 ,  ヒステリシスループ ,  ビスマスフェライト ,  圧電係数 ,  圧電特性 ,  抗電界

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (3件)： 熱安定性 ,  Curie温度 ,  圧電セラミック