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J-GLOBAL ID：201502296807109478   整理番号：15A0491565

劈開表面における電子輸送現象

Electronic Transport at Cleaved Surfaces

著者 (2件)： 岡本徹 (東京大学大学院理学系研究科物理学専攻) ,  枡富龍一 (東京大学大学院理学系研究科物理学専攻)
資料名： 表面科学  (JSSSJ)
巻： 36  号： 3  ページ： 118-123 (J-STAGE)  発行年： 2015年 
JST資料番号： F0940B  ISSN： 0388-5321  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 吸着原子誘起の半導体二次元系,量子ホール効果や劈開表面に形成される単原子層の磁性・超伝導研究について紹介した。ヒ化インジウム(InAs)及びアンチモン化インジウム(InSb)表面逆転層での量子ホール効果の観測,Fe準単分子層被覆InAs(110)表面磁気抵抗におけるヒステリシス,平行磁場におけるヒ化ガリウム(GaAs)(110)上単一層Pb膜の二次元超伝導を示した。Rashbaスピン分極2D系の予測不均一超伝導状態から実験結果を考察した。

シソーラス用語： 量子Hall効果 ,  単分子層 ,  *輸送現象 ,  結晶面 ,  *劈開【結晶】 ,  ヒ化インジウム ,  アンチモン化インジウム ,  ヒステリシス ,  ヒ化ガリウム ,  鉄 ,  鉛 ,  二次元 ,  超伝導 ,  スピン-軌道相互作用 ,  *半導体 ,  スピン分極
準シソーラス用語： Fe ,  GaAs ,  InAs ,  InSb ,  Pb ,  Rashbaスピン-軌道相互作用 ,  *電子輸送 ,  劈開面

分類 (2件)： 物理化学一般その他  (CB01030T) ,  超伝導体の物性一般  (BM04021A)

引用文献 (20件)：

• 1) S. Kawaji and H.C. Gatos: Surf. Sci. 7, 215 (1967).
• 2) Y. Tsuji, T. Mochizuki and T. Okamoto: Appl. Phys. Lett. 87, 062103 (2005).
• 3) 岡本 徹,辻 幸秀,望月敏光: 固体物理 41, 339, (2006).
• 4) M. Minowa, R. Masutomi, T. Mochizuki and T. Okamoto: Phys. Rev. B 77, 233301 (2008).
• 5) T. Okamoto, T. Mochizuki, M. Minowa, K. Komatsuzaki and R. Masutomi: J. Appl. Phys. 109, 102416 (2011).

タイトルに関連する用語 (3件)： 劈開 ,  電子 ,  輸送現象