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J-GLOBAL ID:201502296836574040   整理番号:15A0647902

ルテニウム-アミン錯体からの高導電性ルテニウムおよび酸化ルテニウム薄膜の溶液処理

Solution processing of highly conductive ruthenium and ruthenium oxide thin films from ruthenium-amine complexes
著者 (5件):
資料名:
巻:号: 17  ページ: 4490-4499  発行年: 2015年05月07日 
JST資料番号: W2383A  ISSN: 2050-7526  CODEN: JMCCCX  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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高導電性ルテニウム金属(Ru0)薄膜および二酸化ルテニウム(RuO2)膜を,溶液プロセスで調製した。ルテニウム(III)ニトロシル酢酸塩およびアミンをスピンコーティングし,Ru0およびRuO2薄膜を,不活性気体(窒素または真空)および酸素中でそれぞれアニーリングした後に生成した。アミン配位オキソルテニウムクラスタを前駆体溶液で生成したことを観察した。配位されたアミンにより,酸化的分解からの変化が起き,不活性期待条件下でのルテニウム前駆体の分解が減少した。種々のアミン構造の影響を比較し,アルカノールアミンやアミノ酸は,第一アミンをもつアルキルアミンよりも高品質(より低い電気抵抗とより高い表面の平坦さ)のRu0膜を生成し,第二アミンや第三アミンより好ましいことが分かった。これらの成績は,全相関関数および対分布関数解析による高エネルギーX線回折を含む方法で明らかとなったルテニウム錯体の構造と相関した。ルテニウムアルカノールアミン錯体から調製されたRu0およびRuO2薄膜の抵抗値は,それぞれ2.1×10-5および4.3×10-4Ω cmであり,真空処理されたRu0およびRuO2薄膜の値と同等であった。Ru0膜は酸素中の更なるアニーリング時の酸素に対して,ナノメータの厚さ(即ち,25nm)でも高い安定性を示した。Copyright 2015 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST
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分類 (5件):
分類
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酸化物薄膜  ,  塩基,金属酸化物  ,  白金族元素の錯体  ,  脂肪族アミン・イミン・第四アンモニウム・インモニウム  ,  反応操作(単位反応) 
物質索引 (12件):
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