文献
J-GLOBAL ID：201502298119479973
整理番号：15A0744295
Si MOSFET用のGaN HEMTによる高速ゲート駆動回路
High-speed gate drive circuit for SiC MOSFET by GaN HEMT
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著者 (5件)：
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資料名：
巻：
12
号：
11
ページ：
20150285-20150285 (J-STAGE)
発行年：
2015年
JST資料番号：
U0039A
ISSN：
1349-2543
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
短報
発行国：
日本 (JPN)
言語：
英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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SiパワーMOSFETデバイスは電力変換向け次期デバイス候補の1つだが,パワーデバイス用ゲート駆動回路のMHzを越えるスイッチングは考慮されていない。本文は,Si MOSFETの高速スイッチング用のGaN HEMTを採用したゲート駆動回路を提案した。提案回路を10HMzで動作するようSi MOSFET向けに回路設計し,この実現可能性を簡易スイッチング回路で確かめた。(翻訳著者抄録)
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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分類 (2件)：
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
電力変換器
, トランジスタ
引用文献 (6件)：
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[1] H. Matsunami: Technology of Semiconductor SiC and Its Application (Nikkan Kogyo Shimbun, Tokyo, 2003) (in Japanese).
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[2] S. Pendharkar and C. Chey: ECS Trans. 50 [3] (2013) 189. DOI:10.1149/05003.0189ecst
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[3] T. Takuno, T. Hikihara, T. Tsuno and S. Hatsukawa: 13th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE2009), Balcelona, Spain (2009).
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[4] J. Würfl, O. Hilt, E. Bahat-Treidel, P. Kurpas, S. A. Chevchenko, O. Bengtsson, E. Ersoy, A. Liero, A. Wentzel, W. Heinrich, N. Badawi and S. Dieckerhoff: Proc. of the 8th European Microwave Integrated Circuits Conference, Nuremberg, Germany (2013) 176.
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[5] K. Nagaoka and T. Hikihara: Technical Meeting of IEE Japan, ECT 14 [46] (2014) 65 (in Japanese).
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