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J-GLOBAL ID：201502299069545836   整理番号：15A0523819

Si-Ge界面を横切るフォノン透過率

Phonon Transmission Across the Si-Ge Interface

著者 (3件)： BI Kedong (Southeast Univ., Nanjing, CHN) ,  LOU Jinhan (Southeast Univ., Nanjing, CHN) ,  CHEN Yunfei (Southeast Univ., Nanjing, CHN)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 15  号： 4  ページ： 3187-3190  発行年： 2015年04月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン(Si)とゲルマニウム(Ge)との界面を横切るフォノン透過を格子力学により理論的に調べた。先ず,SiとGeのフォノン分散を計算により決定した。Si-Ge界面を横切る熱輸送に対して臨界フォノン周波数が存在することを示した。フォノン周波数が198cm^-1より高いとき,フォノン透過係数は相当低く,Si-Ge界面を横切る熱輸送にこれより高い周波数のフォノンは殆ど寄与しないことが分った。198cm^-1より低い周波数のフォノンでは,フォノン透過係数が非常に高くなり,低周波数フォノンがSi-Ge界面の熱伝導率へ支配的な寄与を及ぼすと推測した。

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *ゲルマニウム ,  界面 ,  格子力学 ,  フォノン分散 ,  透過率 ,  熱伝導率 ,  透過
準シソーラス用語： *フォノン透過 ,  *格子熱伝導率

分類 (1件)： 格子振動の熱的・統計的性質  (BL03050G)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  Ge ,  界面 ,  フォノン ,  透過率