特許

J-GLOBAL ID：201503000222218776

欠陥評価装置及びそれを用いた欠陥評価方法

発明者： 井上 憲介 ,  杉江 隆一
出願人/特許権者： 株式会社東レリサーチセンター
代理人 (1件)： 岩見 知典
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-029136
公開番号（公開出願番号）：特開2015-152546
出願日： 2014年02月19日
公開日（公表日）： 2015年08月24日
要約：

【課題】欠陥量が非常に少ない試料について、欠陥を顕在化させ、従来よりもさらに試料中の結晶欠陥を高感度に評価する方法及び評価する装置を提供すること。【解決手段】事前に高エネルギー電子線を照射することで欠陥を顕在化させ、カソードルミネッセンス法を適用することによって、従来よりもさらに試料中の結晶欠陥を高感度に評価する方法及び評価する装置。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

欠陥を評価する装置であって、高エネルギー電子線を照射する前処理部と、試料を冷却する冷却部と、低エネルギー電子線を照射する測定部と、低エネルギー電子線照射により試料から発生する光を検出して結晶欠陥を検査する分析部を具備するものであることを特徴とする欠陥評価装置。

IPC (1件)：

G01N 21/66

FI (1件)：

G01N21/66

Fターム (7件)：

2G043AA03 ,  2G043CA05 ,  2G043EA10 ,  2G043EA11 ,  2G043JA01 ,  2G043KA01 ,  2G043LA03