特許
J-GLOBAL ID:201503000295897531
半導体装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
田中 光雄
, 鮫島 睦
, 岡部 博史
公報種別:再公表公報
出願番号(国際出願番号):JP2013001618
公開番号(公開出願番号):WO2013-153742
出願日: 2013年03月12日
公開日(公表日): 2013年10月17日
要約:
半導体装置は、第1半導体チップと、第1半導体チップ上にチップ・オン・チップ接続された第2半導体チップとを備え、第2半導体チップの上面に垂直な方向から見た場合、第2半導体チップの外形は、第1半導体チップの外形よりも大きく、第1半導体チップの上面には複数の第1半導体チップ電極端子が設けられており、複数の第1半導体チップ電極端子は、第2半導体チップで覆われた1又は複数の第1遮蔽端子と、第2半導体チップで覆われていない1又は複数の第1開放端子とを含む。
請求項(抜粋):
第1半導体チップと、
前記第1半導体チップ上にチップ・オン・チップ接続された第2半導体チップとを備え、
前記第2半導体チップの上面に垂直な方向から見た場合、前記第2半導体チップの外形は、前記第1半導体チップの外形よりも大きく、
前記第1半導体チップの上面には複数の第1半導体チップ電極端子が設けられており、
前記複数の第1半導体チップ電極端子は、前記第2半導体チップで覆われた1又は複数の 第1遮蔽端子と、第2半導体チップで覆われていない1又は複数の第1開放端子とを含む、半導体装置。
IPC (4件):
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
, H01L 23/12
FI (4件):
H01L25/08 B
, H01L25/08 E
, H01L23/12 501W
, H01L23/12 501B
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