特許

J-GLOBAL ID：201503000354228826

基板、基板の製造方法、及び電子装置

発明者： 吹留 博一 ,  末光 眞希 ,  賽 焦 ,  舘野 泰範 ,  眞壁 勇夫 ,  中林 隆志
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社 ,  国立大学法人東北大学
代理人 (1件)： 片山 修平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-124108
公開番号（公開出願番号）：特開2014-241387
出願日： 2013年06月12日
公開日（公表日）： 2014年12月25日
要約：

【課題】良好な膜質のグラフェン層を有する基板、基板の製造方法、及び電子装置を提供すること。【解決手段】本発明は、(111)面を上面とするシリコン基板10の前記上面に設けられた窒化物半導体層12と、窒化物半導体層12の上面に設けられた炭化シリコン層14と、炭化シリコン層14の上面に設けられたグラフェン層16と、を備える基板である。本発明によれば、例えばD/Gの値が1.1以下のような、良好な膜質のグラフェン層を得ることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

(111)面を上面とするシリコン基板の前記上面に設けられた窒化物半導体層と、 前記窒化物半導体層の上面に設けられた炭化シリコン層と、 前記炭化シリコン層の上面に設けられたグラフェン層と、を備えることを特徴とする基板。

IPC (7件)：

H01L 29/06 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  C01B 31/02 ,  H01L 29/161 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/324

FI (6件)：

H01L29/06 601N ,  H01L29/78 301B ,  C01B31/02 101Z ,  H01L29/161 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 X

Fターム (49件)：

4G146AA01 ,  4G146AB07 ,  4G146AC16A ,  4G146AC16B ,  4G146AD28 ,  4G146AD30 ,  4G146BA08 ,  4G146BA42 ,  4G146BB23 ,  4G146BC03 ,  4G146BC07 ,  4G146BC19 ,  4G146BC27 ,  4G146BC33B ,  4G146BC34B ,  4G146BC37B ,  4G146BC38B ,  5F140AA00 ,  5F140AA24 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BA17 ,  5F140BA20 ,  5F140BC12 ,  5F140BC17 ,  5F140BD01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD11 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF07 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ29 ,  5F152LL05 ,  5F152LL09 ,  5F152LN02 ,  5F152MM04 ,  5F152NN03 ,  5F152NN27 ,  5F152NP02 ,  5F152NP09 ,  5F152NP21 ,  5F152NP27 ,  5F152NQ02