特許

J-GLOBAL ID：201503000488476916

オプトエレクトロニクスコンポーネント用の反射性コンタクト層システムおよびオプトエレクトロニクスコンポーネント用の反射性コンタクト層システムの製造方法

発明者： ペーター マティアス ,  カッツ シメオン ,  オフ ユルゲン ,  ペルツルマイヤー コルビニアン ,  ゲールケ カイ ,  アイダム ロルフ ,  ドイブラー ユルゲン ,  パッソウ トルステン
出願人/特許権者： オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
代理人 (1件)： 鷲田 公一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-524727
公開番号（公開出願番号）：特表2015-529018
出願日： 2013年07月24日
公開日（公表日）： 2015年10月01日
要約：

第1pドープ窒化物化合物半導体層(1)、透明導電性酸化物層(3)、ミラー層(4)、および第1pドープ窒化物化合物半導体層(1)と、透明導電性酸化物層(3)との間に配置される第2pドープ窒化物化合物半導体層(2)を含むオプトエレクトロニクスコンポーネント(100)用の反射性コンタクト層システムであって、第2pドープ窒化物化合物半導体層(2)は、透明導電性酸化物層(3)に面する界面(23)にN面ドメイン(22)を有し、かつN面ドメイン(22)は、界面(23)において少なくとも95%の面積割合を有する、反射性コンタクト層システムが特定される。さらに、コンタクト層システムの製造方法が特定される。

請求項（抜粋）：

-第1pドープ窒化物化合物半導体層(1)と、 -透明導電性酸化物層(3)と、 -ミラー層(4)と、 -前記第1pドープ窒化物化合物半導体層(1)と、前記透明導電性酸化物層(3)との間に配置される第2pドープ窒化物化合物半導体層(2)と、 を含む、オプトエレクトロニクスコンポーネント(100)用の反射性コンタクト層システムであって、 前記第2pドープ窒化物化合物半導体層(2)は、前記透明導電性酸化物層(3)に面する界面(23)にN面ドメイン(22)を有し、 前記界面(23)における前記N面ドメイン(22)は、少なくとも95%の面積割合を有する、反射性コンタクト層システム。

IPC (4件)：

H01L 33/10 ,  H01L 33/32 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/16

FI (4件)：

H01L33/00 130 ,  H01L33/00 186 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 160

Fターム (26件)：

5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045DA52 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045DA56 ,  5F241AA03 ,  5F241AA24 ,  5F241CA02 ,  5F241CA04 ,  5F241CA05 ,  5F241CA23 ,  5F241CA40 ,  5F241CA49 ,  5F241CA57 ,  5F241CA65 ,  5F241CA88 ,  5F241CB15

引用特許：

出願人引用 (1件)

• オプトエレクトロニクス半導体コンポーネント
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2011-532492   出願人：オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング

審査官引用 (1件)

• オプトエレクトロニクス半導体コンポーネント
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2011-532492   出願人：オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング